lateral insulated gate bipolar transistor; silicon-on-insulator; trench; miller capacitance; gate charge;
机译:具有沟槽栅极势垒和载流子存储层的超低关断损耗双栅极SOI LIGBT
机译:一种新型的低截止损耗载流子,具有沟槽栅垒,可存储SOI LIGHT
机译:1.5μm的薄层土壤上的高压电子注入增强型TC-LIGHT可减少正向压降
机译:低导通电压和闩锁抗扰性具有多段沟槽栅极的薄型SOI LIGBT
机译:单层和少层石墨烯自旋阀的制造和表征导致自旋弛豫长度以及自旋电压对载流子浓度的依赖性得到优化。
机译:通过感觉门控神经元的电压门控Ca2 +通道触发的Ca2 +内流触发的细胞内存储中的Ca2 +的全部释放。
机译:一种新型薄层SOI载体储存沟槽LIGBT,具有增强的发射极注入