一种利用二极管钳位的具有载流子存储层的IGBT器件

摘要

本发明涉及功率半导体领域，提供一种利用二极管钳位的具有载流子存储层的IGBT器件，用以克服现有的具有载流子存储层(CSL)的槽栅IGBT饱和电压高、短路安全工作区较小以及CSL浓度受限的问题；本发明IGBT在槽栅IGBT工艺上直接在硅片表面集成一个或多个串联二极管用于钳位P区电场屏蔽层的电位，在现有槽栅IGBT工艺的基础上突破了CSL的浓度限制，极大地提高了IGBT发射极的注入效率，从而极大地提高了IGBT的导通压降和关断损耗的折中关系；同时，由于二极管的钳位作用，使得IGBT的nMOS沟道附近的漏极在高压大电流下被钳位在较低的电压，从而使得新型IGBT的饱和电流很大程度地降低，从而提高了IGBT的短路安全工作区。