公开/公告号CN1226744A
专利类型发明专利
公开/公告日1999-08-25
原文格式PDF
申请/专利号CN98119767.1
申请日1998-09-28
分类号H01L21/82;H01L21/302;
代理机构柳沈知识产权律师事务所;
代理人陶凤波
地址 联邦德国慕尼黑
入库时间 2023-12-17 13:25:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/76 授权公告日:20030917 终止日期:20160928 申请日:19980928
专利权的终止
2003-09-17
授权
授权
2000-06-21
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
1999-08-25
公开
公开
机译: 通过在不对称的V形沟槽上施加保形介电层和导电层,可以制造用于Flash-EPROM等半导体器件的浮栅
机译: 半导体制造中非共形器件层的平面化
机译: 半导体制造中非共形器件层的平面化