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公开/公告号CN86104069A
专利类型发明专利
公开/公告日1987-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 电子工业部第四十四研究所;
申请/专利号CN86104069
发明设计人 傅有文;何伟全;樊世绪;卓建会;肖德柠;
申请日1986-06-09
分类号C30B31/06;
代理机构重庆专利事务所;
代理人李启良
地址 四川省永川县1102信箱
入库时间 2023-12-17 11:53:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1989-11-08
被视为撤回的申请
1987-02-11
公开
机译: 具有增强的吸杂能力的绝缘硅片上硅键合的制造方法
机译: 处理具有固有吸杂和栅极氧化物完整性成品率的硅片的方法
机译:硅中吸杂机理的研究:磷扩散吸杂与其他吸杂位之间的竞争性吸杂
机译:n型CZ硅片的磷扩散吸杂以改善硅异质结太阳能电池的性能
机译:低温吸杂与磷扩散吸杂相结合以改进多晶硅
机译:硅中吸杂机制的研究:磷扩散吸杂与其他吸杂位之间的竞争性吸杂
机译:晶体硅的铝吸杂剂可改善少数载流子扩散长度并用于基本扩散机理的研究。
机译:使用牺牲多孔硅层的多晶硅磷扩散吸杂工艺
机译:多孔硅/铝混合吸气剂的多晶硅片中吸杂过程的特性
机译:硅中注入诱导空穴吸杂与siO {sub 2}沉淀相关的内部吸杂之间的竞争