一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法

摘要

本发明公开一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，属于半导体功率器件技术领域。在N型外延片生长氧化层、淀积氮化硅层和TEOS层，挖出若干个Trench结构；在Trench结构中制作一层氧化层，并填充掺杂N型多晶硅；对Trench结构中多晶硅进行刻蚀，再将有源区Trench结构侧壁的上部分氧化层去除掉；在Trench结构中填充介质，研磨外延片至表面平坦，使氮化硅层和氧化硅处于同一平面；形成保护二极管结构并实现P型掺杂；分离栅底部结构和保护二极管结构；完成栅极引出，阱工艺和源区引出；通过光刻和腐蚀实现通孔引出和金属互联。本发明基于目前低功耗分离栅Trench DMOS产品结构，把ESD保护结构集成在栅源两极之间，在满足使用中对功耗要求外，又保证器件性能和可靠性。