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殷允超;
苏州大学;
电子器件; 场效晶体管; 静电防护; 保护栅结构;
机译:纳米CMOS技术中具有嵌入式SCR结构作为电源轨ESD钳位设备的I / O单元的ESD保护设计
机译:4H-SiC 3D Trench-MOS结构上的各种栅氧化物的表征
机译:功率IC高保持电压ESD保护电路的制造设计
机译:静电放电(ESD)保护电路设计的绝缘硅(SOI)绝缘栅PN结器件的器件模型
机译:新一代静电放电(ESD)保护结构的新型器件的设计和特性
机译:高性能金刚石三栅场效应晶体管的设计与制造
机译:设计避免深亚微米CmOs工艺中对EsD保护电路的过栅驱动效应
机译:用于集成电路的互补Gaas结栅控异质结构场效应晶体管制造
机译:利用平面图设计保护集成电路免受ESD事件的静电放电(ESD)保护结构以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译:静电放电(ESD)保护结构,利用地板计划设计来保护集成电路不受ESD事件影响,以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译:双向背对背堆叠式SCR,用于高压引脚ESD保护,制造方法和设计结构
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