基于LVTSCR的栅氧化层ESD保护

摘要

本文应用medici仿真工具，分析了ESD防护电路中常用的低压触发可控硅(LVTSCR)结构，讨论了几种影响性能的主要因素，同时在特定CMOS工艺下设计了开启电压为16V的LVTSCR结构，最后进一步优化器件结构并在4000V人体放电模型(HBM)下仿真，结果显示能对击穿电压超过20V的栅氧起到有效的保护作用。