法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-07-13
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20160622 变更前: 变更后: 申请日:20120507
专利申请权、专利权的转移
2015-01-07
授权
授权
2013-11-20
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/02 变更前: 变更后: 申请日:20120507
著录事项变更
2012-10-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20120507
实质审查的生效
2012-09-05
公开
公开
机译: 一种在栅结构顶部制备堆叠的晶体管的工艺以及配备栅结构的场效应晶体管的工艺。
机译: 一种在栅结构顶部制备堆叠的晶体管的工艺以及配备栅结构的场效应晶体管的工艺。
机译: 用于改善ESD特性的基于二极管的栅极耦合ESD保护及其操作方法