一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构与工艺

摘要

提出了一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构和工艺。应用此项技术能够方便地形成双栅、三栅以及围栅等各种多面栅结构;同时,应用体迁移进行载流子传输的纵向结构能够显著地改善MOS器件的性能,立体结构更为三维集成提供了发展的基础。工艺模拟证明了该结构的可行性,文中还对实际生产中应注意的一些非理想情况进行了预测和分析。