一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件

摘要

本实用新型公开了集成电路领域内一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，包括P型衬底，P型衬底上层设有深N阱，深N阱上层从一侧到另一侧依次设有第一N阱、第一P阱、第二N阱和第二P阱，第一N阱上层设有P+注入区，第一P阱上层设有浅槽隔离区，第二P阱上层设有N+注入区，P+注入区引出有阳极，N+注入区引出有阴极。本实用新型的具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，通过位于中间区域的第一P阱的阻挡电流，使SCR电流路径变窄，同时延长电流路径，提高了维持电压。