一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法

摘要

本发明公开了一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法，属于晶片生产技术领域，包括以下步骤：S1在晶圆基板上沉积形成氮化硅层；S2在氮化硅层上沉积形成氧化硅层；S3进行黄光工艺，在晶片基板上生成掩膜图案；S4在氧化硅层和氮化硅层上进行纵向蚀刻蚀刻出铜柱镀沟槽；S5以电化学镀铜工艺进行铜电镀形成铜电镀层，铜电镀层厚度大于铜柱厚度；S6用化学机械研磨方法去除沟槽外的铜；S7以湿法或干法电浆蚀刻氧化硅层，露出铜柱；S8以化学电镀方式形成铜柱的贵金属外壳包覆层；S9用引线框架在贵金属外壳包覆层上焊接，其焊接接触面形成共熔合金接触层，本方案以铜柱结构取代嵌入型铜或铝垫面取得较佳的导电及散热性功率元件，提高接触长期导通的可靠性。