带台面终端的金刚石肖特基势垒二极管器件及其制备方法

摘要

本发明公开了带台面终端的金刚石肖特基势垒二极管器件及其制备方法，通过对样品的清洁处理，背面欧姆接触金属层的制备及合金处理，肖特基电极的制备，漂移层的刻蚀，刻蚀损伤修复，钝化介质沉积，介质孔刻蚀，上述过程得到二极管器件。本发明针对现有金刚石肖特基势垒二极管器件，肖特基接触电极边缘电场高导致器件耐压降低的问题，以肖特基电极为掩模对漂移层进行刻蚀，实现肖特基电极和刻蚀后漂移层的自对准，开发了带有台面终端的金刚石肖特基势垒二极管器件制备技术，具有肖特基电极和刻蚀后的漂移层自对准，边缘峰值电场抑制能力强，反向漏电低，抗辐照能力强等优点。