Diamond vertical Schottky barrier diode with Al_2O_3 field plate

机译：带Al_2O_3场板的金刚石垂直肖特基势垒二极管

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A field-plate structure is applied to vertical diamond Schottky barrier diode. A sputtered Al_2O_3 with 0.2 μm thickness is utilized for field-plate insulator. Fabricated diamond VSBD shows low leakage characteristics. Accordingly, the breakdown voltage is improved from 900V to 1,800V.

机译：场板结构应用于垂直菱形肖特基势垒二极管。溅射后的厚度为0.2μm的Al_2O_3用于场板绝缘子。人造金刚石VSBD显示出低泄漏特性。因此，击穿电压从900V提高到1800V。

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来源
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》|2012年|p.1319-1321|共3页
会议地点
作者
Hitoshi Umezawa; Masanori Nagase; Yukako Kato; Shin-ichi Shikata;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类工程材料一般性问题;工程材料一般性问题;
关键词
diamond; schottky barrier diode; field-plate; leakage current; breakdown;

机译：钻石;肖特基势垒二极管;场板漏电流分解;

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