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1.5 kV Vertical Ga
2
O
3
Trench-MIS Schottky Barrier Diodes
机译:
1.5 kV垂直Ga
2 inf> O
3 inf> Trench-MIS肖特基势垒二极管
作者:
Wenshen Li
;
Kazuki Nomoto
;
Zongyang Hu
;
Nicholas Tanen
;
Kohei Sasaki
;
Akito Kuramata
;
Debdeep Jena
;
Huili Grace Xing
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Leakage currents;
Anodes;
Schottky diodes;
Schottky barriers;
Current density;
Epitaxial growth;
2.
2.3 kV Field-Plated Vertical Ga
2
O
3
Schottky Rectifiers and 1 a Forward Current with 650 V Reverse Breakdown Ga
2
O
3
Field-Plated Schottky Barrier Diodes
机译:
2.3 kV场垂直Ga
2 inf> O
3 inf>肖特基整流器和1个具有650 V反向击穿电压的正向电流Ga
2 inf> O
3 inf>场镀肖特基势垒二极管
作者:
Jiancheng Yang
;
Fan Renl
;
Marko Tadjer
;
Steve J. Pearton
;
Akita Kuramata
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Rectifiers;
Temperature distribution;
Temperature measurement;
Schottky diodes;
Gallium nitride;
Electric breakdown;
3.
2D RF Electronics: from devices to circuits - challenges and applications
机译:
2D RF电子产品:从设备到电路-挑战与应用
作者:
D. Fadi
;
W. Wei
;
E. Pallecchi
;
M. Anderson
;
J. Stake
;
M. Deng
;
S. Fregonese
;
T. Zimmer
;
H. Happy
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Graphene;
Performance evaluation;
Transmission line measurements;
Transistors;
Substrates;
Mixers;
4.
3 Gbps Free Space Optical Link based on Integrated Indium Phosphide Transmitter
机译:
基于集成的磷化铟发射器的3 Gbps自由空间光链路
作者:
Hongwei Zhao
;
Sergio Pinna
;
Bowen Song
;
Ludovico Megalini
;
Simone Tommaso Šuran Brunelli
;
Larry Coldren
;
Jonathan Klamkin
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Optical transmitters;
Indium phosphide;
Optical fiber communication;
III-V semiconductor materials;
Semiconductor optical amplifiers;
Radio transmitters;
Space vehicles;
5.
9 GHz passively mode locked quantum dot lasers directly grown on Si
机译:
直接在Si上生长的9 GHz被动模式锁定量子点激光器
作者:
Songtao Liu
;
Justin C. Norman
;
Daehwan Jung
;
M J Kennedy
;
Arthur C. Gossard
;
John E. Bowers
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Laser mode locking;
Quantum dot lasers;
Silicon;
Photonics;
Radio frequency;
Optical device fabrication;
Optical imaging;
6.
A homogeneous and reproducible large-area, low dispersion GaN-on-Si normally-off 600 V transistor technology using selective GaN etching
机译:
使用选择性GaN蚀刻的均质且可重现的大面积,低色散GaN-on-Si常关600 V晶体管技术
作者:
Patrienk Waltereit
;
Marina Preschle
;
Stefan Muller
;
Lutz Kirste
;
Heiko Czap
;
Joachim Ruster
;
Michael Dammann
;
Richard Reiner
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Resistance;
Transistors;
Substrates;
7.
A unified current-voltage and charge-voltage model of quasi-ballistic III-nitride HEMTs for RF applications
机译:
用于射频应用的准弹道III族氮化物HEMT的统一电流-电压和电荷-电压模型
作者:
Kexin Li
;
Shaloo Rakheja
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
HEMTs;
MODFETs;
Numerical models;
Analytical models;
Capacitance-voltage characteristics;
Integrated circuit modeling;
8.
A wired-AND transistor: Polarity controllable FET with multiple inputs
机译:
线与晶体管:具有多个输入的极性可控FET
作者:
M. Simon
;
J. Trommer
;
B. Liang
;
D. Fischer
;
T. Baldauf
;
M. B. Khan
;
A. Heinzig
;
M. Knaut
;
Y. M. Georgiev
;
A. Erbe
;
J. W. Bartha
;
T. Mikolaiick
;
W. M. Weber
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Junctions;
Multiplexing;
Switches;
Wires;
Field effect transistors;
9.
All MOCVD grown 250 nm gate length Al
0.70
Ga
0.30
N MESFETs
机译:
所有MOCVD生长的250 nm栅极长度Al
0.70 inf> Ga
0.30 inf> N MESFET
作者:
Hao Xue
;
Towhidur Razzak
;
Seongmo Hwang
;
Antwon Coleman
;
Sanyam Bajaj
;
Yuewei Zhang
;
Zane Jamal-Eddin
;
Shahadat Hasan Sohel
;
Asif Khan
;
Siddharth Rajan
;
Wu Lu
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
MESFETs;
Radio frequency;
Logic gates;
Performance evaluation;
Resistance;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
10.
An Improved 1T-DRAM Cell Using TiO
2
as the Source and Drain of an n-Channel PD-SOI MOSFET
机译:
TiO
2 inf>作为n沟道PD-SOI MOSFET的源漏的改进型1T-DRAM单元
作者:
Dibyendu Chatterjee
;
Anil Kottantharayil
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Silicon;
MOSFET;
Random access memory;
Calibration;
Data models;
11.
Annealing and Encapsulation of CVD-MoS2 FETs with 10
10
On/Off Current Ratio
机译:
10
10 sup>开/关电流比的CVD-MoS2 FET的退火和封装
作者:
Yu.Yu. Illarionov
;
K.K.H. Smithe
;
M. Waltl
;
R.W. Grady
;
S. Deshmukh
;
E. Pop
;
T. Grasser
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Hysteresis;
Aluminum oxide;
Encapsulation;
Field effect transistors;
Molybdenum;
Sulfur;
Two dimensional displays;
12.
Artificial Neuron using MoS
2
/Graphene Threshold Switching Memristors
机译:
MoS
2 inf> /石墨烯阈值开关忆阻器的人工神经元
作者:
Hirokjyoti Kalita
;
Adithi Krishnaprasad
;
Nitin Choudhary
;
Sonali Das
;
Hee-Suk Chung
;
Yeonwoong Jung
;
Tania Roy
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Neurons;
Memristors;
Optical switches;
Molybdenum;
Sulfur;
Graphene;
13.
Challenges and opportunities in integration of 2D materials on 3D substrates: Materials and device perspectives
机译:
在3D基板上集成2D材料的挑战和机遇:材料和设备的观点
作者:
Mahesh R. Neupane
;
Dmitry Ruzmetov
;
Robert Burke
;
A. Glen Birdwell
;
Decarlos Taylor
;
Matthew Chin
;
Terrance ORegan
;
Frank Crowne
;
Barbara Nichols
;
Pankaj Shah
;
Edward Byrd
;
Tony Ivanov
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Two dimensional displays;
Gallium nitride;
Molybdenum;
Sulfur;
Heterojunctions;
Substrates;
Three-dimensional displays;
14.
Cockcroft-Walton Multiplier based on Unipolar
$mathbf{Ag/HfO_{2}/Pt}$
Threshold Switch
机译:
基于单极
$ mathbf {Ag / HfO_ {2} / Pt} $ tex>阈值开关的Cockcroft-Walton乘数
作者:
Ahmedullah Aziz
;
Nikhil Shukla
;
Alan Seabaugh
;
Suman Datta
;
Sumeet Gupta
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Schottky diodes;
Hafnium compounds;
Switches;
Electrodes;
Resistance;
Switching circuits;
Standards;
15.
Design and Demonstration of (AlxGal-x)
2
O
3
/Ga
2
O
3
Double Heterostructure Field Effect Transistor (DHFET)
机译:
(AlxGal-x)
2 inf> O
3 inf> / Ga
2 inf> O
3 inf>双异质结构场效应晶体管的设计和演示(DHFET)
作者:
Yuewei Zhang
;
Zhanbo Xia
;
Chandan Joishi
;
Siddharth Rajan
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Temperature measurement;
Epitaxial layers;
Plasma temperature;
Silicon;
Capacitance measurement;
16.
Development of hierarchical simulation framework for design and optimization of molecular based flash cell
机译:
用于设计和优化基于分子的闪速电池的分层仿真框架的开发
作者:
Vihar P. Georgiev
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Resource description framework;
Logic gates;
Nonvolatile memory;
Silicon-on-insulator;
Probability density function;
Solid modeling;
Discrete Fourier transforms;
17.
Doping-free complementary inverter enabled by 2D WSe2 electrostatically-doped reconfigurable transistors
机译:
通过2D WSe2静电掺杂可重构晶体管实现的无掺杂互补逆变器
作者:
Giovanni V. Resta
;
Yashwanth Balaji
;
Dennis Lin
;
Iuliana P. Radu
;
Francky Catthoor
;
Pierre-Emmanuel Gaillardon
;
Giovanni De Micheli
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Inverters;
Logic gates;
Transistors;
Doping;
Two dimensional displays;
Chemicals;
Electrostatics;
18.
Effects of single vacancy defects on 1/f noise in grapbene/b-BN FETs
机译:
单空位缺陷对grabbene / b-BN FET中的1 / f噪声的影响
作者:
Ting Wu
;
Abdullah Alharbi
;
Takashi Taniguchi
;
Kenji Watanabe
;
Davood Shahricrdi
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Graphene;
Field effect transistors;
1/f noise;
Scattering;
Low-frequency noise;
Logic gates;
19.
Effect of Gate Oxide Defects on Tunnel Transistor RF Performance
机译:
栅极氧化物缺陷对隧道晶体管RF性能的影响
作者:
M. Hellenbrand
;
E. Memisevic
;
J. Svensson
;
A. Krishnaraja
;
E. Lind
;
L.-E. Wernersson
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Radio frequency;
TFETs;
Nanoscale devices;
Frequency dependence;
Time-frequency analysis;
20.
Efficient Metal-Halide Perovskite Micro Disc Lasers Integrated in a Silicon Nitride Photonic Platform
机译:
集成在氮化硅光子平台中的高效金属卤化物钙钛矿微盘激光器
作者:
P. J. Cegielski
;
S. Neutzner
;
C. Porschatis
;
M. Gandini
;
D. Schall
;
C. A.R. Perini
;
J. Bolten
;
S. Suckow
;
B. Chmielak
;
A. Petrozza
;
T. Wahlbrink
;
M. C. Lemme
;
A. L. Giesecke
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Laser excitation;
Optical waveguides;
Waveguide lasers;
Pump lasers;
Silicon nitride;
Photonics;
Semiconductor lasers;
21.
Energy-Efficient Phase Change Memory Programming by Nanosecond Pulses
机译:
纳秒级脉冲的节能型相变存储器编程
作者:
Eilam Yalon
;
Kye Okabe
;
Christopher M. Neumann
;
H.-S. Philip Wong
;
Eric Pop
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Phase change materials;
Heating systems;
Electrical resistance measurement;
Electrodes;
Resistance;
Energy measurement;
Voltage measurement;
22.
Enhanced P-Type Behavior in 2D WSe2 via Chemical Defect Engineering
机译:
通过化学缺陷工程增强了二维WSe2中的P型行为
作者:
Amritesh Rai
;
Jun Hong Park
;
Chenxi Zhang
;
Iljo Kwak
;
Steven Wolf
;
Suresh Vishwanath
;
Xinyu Lin
;
Jacek Furdyna
;
Huili Grace Xing
;
Kyeongjae Cho
;
Andrew C. Kummel
;
Sanjay K. Banerjee
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Field effect transistors;
Two dimensional displays;
Photonic band gap;
Image edge detection;
Sulfur;
Lattices;
23.
Epitaxial Gd
2O
3
on Si (111) Substrate by Sputtering to Enable Low Cost SOI
机译:
通过溅射在Si(111)衬底上外延Gd
2O inf>
3 inf>以实现低成本SOI
作者:
K. R. Khiangte Amlta
;
A. Laha
;
S. Mahapatra
;
U. Gangway
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Substrates;
Silicon-on-insulator;
Molecular beam epitaxial growth;
Lattices;
Radio frequency;
24.
Fabrication and Characterization of a Fully Si Compatible Forming-Free GeO
x
Resistive Switching Random-Access Memory
机译:
完全兼容Si的无成形GeO
x inf>电阻切换随机存取存储器的制造与表征
作者:
Jae Yoon Lee
;
Youngmin Kim
;
Ikhyeon Kworn
;
Il Hwan Cho
;
Jae Yeon Lee
;
Soo Gil Kim
;
Seongjae Cho
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Switches;
Silicon;
Annealing;
Fabrication;
Nonvolatile memory;
Robustness;
Memory management;
25.
Ferroelectric Aluminum-Doped Hafnium Oxide for Memory Applications
机译:
用于存储器的铁电掺杂铝的氧化Ha
作者:
Hojoon Ryu
;
Kai Xu
;
Ji Guo
;
Wenjuan Zhu
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Hafnium compounds;
Electrodes;
Annealing;
Capacitors;
Tin;
Leakage currents;
26.
First Demonstration of WSe2 CMOS Inverter with Modulable Noise Margin by Electrostatic Doping
机译:
静电掺杂可调节噪声容限的WSe2 CMOS反相器的首次演示
作者:
Chin-Sheng Pang
;
Zhihong Chen
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Inverters;
Annealing;
Metals;
Logic gates;
Electrostatics;
Doping;
Switches;
27.
GaN Lateral Schottky Diodes with High Baliga's Figure-of-Merit Utilizing Self-Terminated, Low Damage Anode Recessing Technology
机译:
具有高Baliga品质因数的GaN横向肖特基二极管,采用自端接,低损伤阳极凹陷技术
作者:
J. Gao
;
Y. Jin
;
B. Xie
;
C. P. Wen
;
Y. Hao
;
M. Wang
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Anodes;
Stress;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
28.
Graphene-Channel-Transistor Terahertz Amplifier
机译:
石墨烯通道晶体管太赫兹放大器
作者:
Stephane Boubanga-Tombet
;
Deepika Yadav
;
Wojciech Knap
;
Vyacheslav V. Popov
;
Taiichi Otsuji
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Plasmons;
Graphene;
Logic gates;
Frequency measurement;
Cavity resonators;
Resonant frequency;
Electron mobility;
29.
High Aspect Ratio Junctionless InGaAs FinFETs Fabricated Using a Top-Down Approach
机译:
使用自顶向下方法制造的高深宽比无结InGaAs FinFET
作者:
D. A. J. Millar
;
X. Li
;
U. Peralagu
;
M. J. Steer
;
I.M. Pavey
;
G. Gaspar
;
M. Schmidt
;
P.K. Hurley
;
I. G. Thayne
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Ions;
Indium gallium arsenide;
MOSFET;
Scattering;
Silicon;
Fabrication;
30.
High Performance Complementary Black Phosphorus FETs and Inverter Circuits Operating at Record-Low V
DD
down to 0.2V
机译:
高性能互补型黑磷FET和反相器电路,在低V
DD inf>的低记录电压下工作
作者:
Peng Wu
;
Joerg Appenzeller
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
31.
High Voltage Vertical Gallium Nitride Pseudo-Junction-Barrier-Schottky Diode with Ion Implantation
机译:
离子注入高压垂直氮化镓伪结势垒肖特基二极管
作者:
Sizhen Wang
;
Alex Q. Huang
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Schottky diodes;
Gallium nitride;
Magnesium;
Implants;
Performance evaluation;
Anodes;
Junctions;
32.
High-Sensitive and Selective Detection of Human-Infectious Influenza Virus Using Biomimetic Graphene Field-Effect Transistor
机译:
仿生石墨烯场效应晶体管高灵敏度和选择性检测人感染性流感病毒
作者:
T. Ono
;
T. Kawata
;
Y. Kanai
;
Y. Ohno
;
K. Maehashi
;
K. Inoue
;
Y. Watanabe
;
S. Nakakita
;
Y. Suzuki
;
T. Kawahara
;
K. Matsumoto
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Graphene;
Field effect transistors;
Influenza;
Current measurement;
Atmospheric measurements;
Particle measurements;
Fluorescence;
33.
Impact of calibrated band-tails on the subthreshold swing of pocketed TFETs
机译:
校准带尾对袋装TFET的亚阈值摆幅的影响
作者:
Jasper Bizindavyi
;
Anne S. Verhulst
;
Bart Sorée
;
Guido Groeseneken
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
TFETs;
Doping;
Tunneling;
Calibration;
Ions;
Photonic band gap;
34.
Large Room Temperature Charge-to-Spin Conversion Efficiency in Topological Insulator/CoFeB bilayers
机译:
拓扑绝缘体/ CoFeB双层中的大室温电荷到自旋转换效率
作者:
Qiming Shao
;
Guoqiang Yu
;
Lei Pan
;
Xiaoyu Che
;
Yabin Fan
;
Koichi Murata
;
Qing-Lin He
;
Tianxiao Nie
;
Xufeng Kou
;
Kang L. Wang
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Current measurement;
Magnetic field measurement;
Hysteresis;
Magnetization;
Electrical resistance measurement;
Topological insulators;
35.
Low Power Nanoscale Switching of VO
2
using Carbon Nanotube Heaters
机译:
使用碳纳米管加热器的VO
2 inf>低功率纳米级开关
作者:
Stephanie Bohaichuk
;
Miguel Muñoz Rojo
;
Gregory Pitner
;
Connor McClellan
;
Feifei Lian
;
Jason Li
;
Jaewoo Jeong
;
Mahesh Samant
;
Stuart Parkin
;
H.-S. Philip Wong
;
Eric Pop
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Switches;
Electrodes;
Surface topography;
Nanoscale devices;
Heating systems;
Voltage measurement;
Temperature measurement;
36.
Mechanistic Analysis of Oxygen Vacancy Driven Conductive Filament Formation in Resistive Random Access Memory Metal/NiO/Metal Structures
机译:
电阻随机存取记忆金属/ NiO /金属结构中氧空位驱动的导电丝形成的机理分析
作者:
Handan Yildirim
;
Ruth Pachter
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Nickel;
Atomic layer deposition;
Electrodes;
Graphical models;
Distribution functions;
Switches;
37.
Modeling and Comparative Analysis of Hysteretic Ferroelectric and Anti-ferroelectric FETs
机译:
磁滞铁电和反铁电FET的建模和比较分析
作者:
Atanu K. Saha
;
Sumeet K. Gupta
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Field effect transistors;
Iron;
Mathematical model;
Analytical models;
Capacitance;
Transient analysis;
Logic gates;
38.
Monolithic Integration of III -V on silicon for photonic and electronic applications
机译:
III -V在硅上的单片集成,用于光子和电子应用
作者:
S. Mauthe
;
H. Schmid
;
B. Mayer
;
S. Wirths
;
C. Convertino
;
Y. Baumgartner
;
L. Czornomaz
;
M. Sousa
;
P. Staudinger
;
H. Riel
;
K. E. Moselund
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Substrates;
Photonics;
Indium gallium arsenide;
Cavity resonators;
TFETs;
Gallium arsenide;
39.
Nanoscale Scanning Probe Thermometry of TaOe-based selector devices
机译:
基于TaOe的选择器设备的纳米级扫描探针测温
作者:
Dasheng Li
;
Georg Ramer
;
Phoebe Yeoh
;
Brian Hoskins
;
Yuanzhi Ma
;
James A. Bain
;
Andrea Centrone
;
Marek Skowronski
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
Switches;
Resistors;
Temperature distribution;
Current measurement;
Spatial resolution;
Electrodes;
40.
Novel 2-D Materials for Tunneling FETs: an Ab-initio Study
机译:
隧道FET的新型二维材料:从头算研究
作者:
C. Klinkert
;
A. Szabo
;
D. Campi
;
C. Stieger
;
N. Marzari
;
M. Luisier
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
TFETs;
Photonic band gap;
Tunneling;
Ions;
Molybdenum;
Sulfur;
Discrete Fourier transforms;
41.
On the Possibility of Dynamically Tuning and Collapsing the Ferroelectric Hysteresis/Memory Window in an Asymmetric DG MOS Device: A Path to a Reconfigurable Logic-Memory Device
机译:
动态调整和折叠非对称DG MOS设备中铁电磁滞/存储器窗口的可能性:通向可重构逻辑存储器设备的路径
作者:
Nuihat Tasneem
;
Asif I. Khan
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Hysteresis;
Capacitance;
Logic gates;
Microsoft Windows;
Capacitors;
Voltage control;
Field effect transistors;
42.
Optoelectronics based on Vertical Transport in Multi-layer MoS2
机译:
多层MoS2中基于垂直传输的光电
作者:
Shubhadeep Bhattacharjee
;
Pranandita Biswas
;
Swan Solanke
;
Rangarajan Muralidharan
;
Digbijoy Nath
;
Navakanta Bhat
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Metals;
Dark current;
Fabrication;
Optical variables measurement;
Semiconductor device measurement;
43.
Photo-oxidized HfS2 - An embeddable and writable high-k dielectric for flexible Van der Waals nano-electronics
机译:
光氧化HfS2-可嵌入且可写入的高k电介质,用于柔性范德华纳米电子学
作者:
Namphung Peimyoo
;
Jake Mehew
;
Matt D. Barnes
;
Adolfo De Sanctis
;
Iddo Amit
;
Janire Escolar
;
Konstantinos Anastasiou
;
Ali Gholina
;
Aidan P Rooney
;
Sarah Haigh
;
Saverio Russo
;
Monica F. Craciun
;
Freddie Withers
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Hafnium compounds;
Graphene;
Field effect transistors;
Logic gates;
Dielectrics;
Oxidation;
Contacts;
44.
Realization of the First GaN Based Tunnel Field-Effect Transistor
机译:
第一个基于GaN的隧道场效应晶体管的实现
作者:
Alexander Chaney
;
Henryk Turski
;
Kazuki Nomoto
;
Qingxiao Wang
;
Zongyang Hu
;
Moon Kim
;
Huili Grace Xing
;
Debdeep Jena
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
TFETs;
Tunneling;
Current measurement;
Metals;
Semiconductor device measurement;
Temperature measurement;
45.
Recent Progress in Spintronics and Devices
机译:
自旋电子学和设备的最新进展
作者:
Kang L. Wang
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Switches;
Magnetic tunneling;
Magnetization;
Spintronics;
Magnetic anisotropy;
46.
Reliable High-Quality Metal-Embedded h-BN Contacts to p-type WSe2
机译:
与p型WSe2可靠的高质量金属嵌入式h-BN触点
作者:
Younghun Jung
;
Min Sup Chor
;
Abhinandan Borah
;
Ankur Nipane
;
Won Jong Yoo
;
James Hanel
;
James T. Teherani
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Contact resistance;
Fabrication;
Platinum;
Field effect transistors;
47.
Self-powered Flexible Strain Sensor with Graphene/P(VDF-TrFE) Heterojunction
机译:
具有石墨烯/ P(VDF-TrFE)异质结的自供电柔性应变传感器
作者:
Soaram Kim
;
Sean Gorman
;
Yongchang Dong
;
Apparao M. Rao
;
Goutam Koley
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Heterojunctions;
Capacitive sensors;
Substrates;
Graphene;
Strain;
Biomedical monitoring;
Time factors;
48.
Surface Passivated InN Nanowire and Graphene Heterojunction Based Memtransistor
机译:
表面钝化InN纳米线和石墨烯异质结的Mem晶体管
作者:
Ifat Jahangir
;
Md. A. Uddin
;
A. K. Singh
;
A. Franken
;
M.V.S Chandrashekha
;
G. Koley
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Graphene;
Logic gates;
Heterojunctions;
Plasmas;
Oxidation;
Scanning electron microscopy;
Optical sensors;
49.
Spin and Ferroelectric Devices
机译:
自旋和铁电器件
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
50.
Steep-Slope Hysteresis-Free Negative-Capacitance 2D Transistors
机译:
陡坡无迟滞负电容2D晶体管
作者:
Peide D. Ye
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Two dimensional displays;
Silicon;
Logic gates;
Molybdenum;
MOSFET;
Metals;
51.
Supercapacity (>1000 fJF/cm
2
) charge release in a CVD-grown WSe2 FET incorporating a PEO: CsCI04 side gate
机译:
在结合了PEO的CVD生长的WSe2 FET中释放超大容量(> 1000 fJF / cm
2 sup>)电荷
作者:
M. Asghari Heidarlou
;
B. Jariwala
;
P. Paletti
;
S. Rouvimov
;
J. A. Robinsorr
;
S. K. Fullerton-Shirey
;
A. Seabaugh
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Temperature measurement;
Field effect transistors;
Ions;
Semiconductor device measurement;
Current measurement;
52.
The Impact of Substrates on the Performance of Top-Gate p-Ga203 Field-Effect Transistors: Record High Drain Current of 980 mA/mm on Diamond
机译:
基板对顶部栅极p-Ga203场效应晶体管性能的影响:在金刚石上记录的980 mA / mm的高漏极电流
作者:
Jinhyun Noh
;
Mengwei Si
;
Hong Zhou
;
Marko J. Tadjer
;
Peide D. Ye
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Substrates;
Field effect transistors;
Diamond;
Logic gates;
Thermal conductivity;
Conductivity;
53.
Thermal Performance Improvement of GaN-on-Diamond High Electron Mobility Transistors
机译:
GaN-on-Diamond高电子迁移率晶体管的热性能改进
作者:
Marko J. Tadjer
;
Travis J. Anderson
;
James C. Gallagher
;
Peter E. Raad
;
Pavel Komarov
;
Andrew D. Koehler
;
Karl D. Hobart
;
Fritz J. Kub
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Substrates;
Diamond;
Transient analysis;
Gallium nitride;
Reliability;
54.
Three-Dimensional Integration of Multi-Channel MoS
2
Devices for High Drive Current FETs
机译:
用于高驱动电流FET的多通道MoS
2 inf>器件的三维集成
作者:
Ruiping Zhou
;
Joerg Appenzeller
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Field effect transistors;
Logic gates;
Metals;
Silicon;
Performance evaluation;
55.
Time Response of Polarization Switching in Ge Hafnium Zirconium Oxide Nanowire Ferroelectric Field-effect Transistors
机译:
Ge Ge氧化锆纳米线铁电场效应晶体管中极化转换的时间响应
作者:
Sami Alghamdi
;
Wonil Chung
;
Mengwei Si
;
Peide D. Ye
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Hysteresis;
Logic gates;
Current measurement;
Time factors;
Switching circuits;
Transistors;
Switches;
56.
Tunable Random Number Generation Using Single Superparamagnet with Perpendicular Magnetic Anisotropy
机译:
使用具有垂直磁各向异性的单个超顺磁体生成可调随机数
作者:
Punyashloka Debashis
;
Zhihong Chen
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Magnetization;
Bars;
Anisotropic magnetoresistance;
Magnetic field measurement;
Temperature measurement;
Perpendicular magnetic anisotropy;
Hardware;
57.
Unique Features of Electron Transport and Low-Frequency Noise in Quasi-One-Dimensional ZrTe3 van der Waals Nanoribbons
机译:
准一维ZrTe3 van der Waals纳米带中电子传输和低频噪声的独特特征
作者:
Adane K. Geremew
;
Matthew A. Bloodgood
;
Tina T. Salguero
;
Sergey Rumyantsev
;
Alexander A. Balandin
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Nanoribbons;
Current density;
Temperature measurement;
Low-frequency noise;
Metals;
Nanowires;
Noise measurement;
58.
Vertical GaN-on-GaN p-n Diodes with 10-A Forward Current and 1.6 kV Breakdown Voltage
机译:
具有10A正向电流和1.6kV击穿电压的垂直GaN-on-GaN p-n二极管
作者:
J. Wang
;
L. Cao
;
J. Xie
;
E. Beam
;
C. Youtsey
;
R. McfCarthy
;
L. Guido
;
Patrick Fay
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Substrates;
Current density;
Scalability;
Electric fields;
High-voltage techniques;
59.
1.1 kV vertical p-i-n GaN-on-sapphire diodes
机译:
1.1 kV垂直p-i-n蓝宝石GaN二极管
作者:
Sara E. Harrison
;
Qinghui Shao
;
Clint D. Frye
;
Lars F. Voss
;
Rebecca J. Nikolić
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
P-i-n diodes;
Gallium nitride;
Electric breakdown;
PIN photodiodes;
Etching;
Surface morphology;
60.
2- Transistor Schmitt Trigger based on 2D Electrostrictive Field Effect Transistors
机译:
基于2D电致伸缩场效应晶体管的2-晶体管施密特触发器
作者:
Niharika Thakuria
;
Daniel Schulmarr
;
Saptarshi Das
;
Sumeet Kumar Gupta
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Two dimensional displays;
Modulation;
Field effect transistors;
Ions;
Hysteresis;
Delays;
Capacitance;
61.
2D Ferroelectric
$pmb{mathrm{CuInP}_{2}mathrm{S}_{6}}$
: Synthesis, ReRAM, and FeRAM
机译:
二维铁电体
$ pmb { mathrm {CuInP} _ {2} mathrm {S} _ {6}} $ tex>:合成,ReRAM和FeRAM
作者:
Pai-Ying Liao
;
Mengwei Si
;
Gang Qiu
;
Peide D. Ye
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Two dimensional displays;
Temperature measurement;
Switches;
MIM capacitors;
Semiconductor device measurement;
Nonvolatile memory;
Silicon;
62.
710 V Breakdown Voltage in Field Plated Ga203 MOSFET
机译:
镀Ga203 MOSFET中的710 V击穿电压
作者:
Ke Zeng
;
Abhishek Vaidya
;
Uttam Singisetti
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Electric breakdown;
MOSFET;
Logic gates;
Current measurement;
Doping;
Metals;
Next generation networking;
63.
A FeFET Based Processing-In-Memory Architecture for Solving Distributed Least-Square Optimizations
机译:
基于FeFET的内存中处理架构,用于解决分布式最小二乘优化问题
作者:
Insik Yoon
;
Muya Chang
;
Kai Ni
;
Matthew Jerry
;
Samantak Gangopadhyay
;
Gus Smith
;
Tomer Hamam
;
Vijayakrishan Narayanan
;
Justin Romberg
;
Shih-Lien Lu
;
Suman Datta
;
Arijit Raychowdhury
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Computer architecture;
Switches;
Nonvolatile memory;
Computational modeling;
Microprocessors;
Hardware design languages;
Optimization;
64.
A Three-Terminal Edge-Triggered Mott Switch
机译:
三端边缘触发Mott开关
作者:
Ahmedullah Aziz
;
Roman Engel-Herbert
;
Sumeet Kumar Gupta
;
Nikhil Shukla
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Switches;
Logic gates;
Computer architecture;
Microprocessors;
Tunneling magnetoresistance;
Steady-state;
Time-domain analysis;
65.
A Vacuum Multi-Finger Transistor in CMOS Technology
机译:
CMOS技术的真空多指晶体管
作者:
Shabnam Ghotbi
;
Hossein Pajouhi
;
Saeed Mohammadi
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Transistors;
Logic gates;
Metals;
Fabrication;
CMOS technology;
Vacuum technology;
Electrodes;
66.
All CVD Boron Nitride Encapsulated Graphene FETs
机译:
所有CVD氮化硼封装的石墨烯FET
作者:
H. Pandey
;
M. Shaygan
;
S. Sawallich
;
S. Kataria
;
M. Otto
;
Z. Wang
;
M. Nagel
;
D. Neumaier
;
M.C. Lemme
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Graphene;
Voltage measurement;
Logic gates;
Gain;
Two dimensional displays;
Performance evaluation;
Nickel;
67.
Alleviation of Short Channel Effects in Ge Negative Capacitance pFinFETs
机译:
Ge负电容pFinFET中的短沟道效应的缓解
作者:
Wonil Chung
;
Mengwei Si
;
Peide D. Ye
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Capacitance;
Aluminum oxide;
Logic gates;
Market research;
Hysteresis;
Silicon;
68.
An Ultra Energy Efficient Neuron enabled by Tunneling in Sub-threshold Regime on a Highly Manufacturable 32 nm SOI CMOS Technology
机译:
通过在高度可制造的32 nm SOI CMOS技术上的亚阈值范围内隧穿实现的超节能神经元
作者:
T. Chavan
;
S. Dutta
;
N.R. Mohapatra
;
U. Ganguly
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Neurons;
Tunneling;
Energy efficiency;
Logic gates;
Implants;
Annealing;
Fires;
69.
Approaches for Dynamic IR N ano-Optics using 2D Materials
机译:
使用2D材料进行动态IR纳米光学的方法
作者:
Joshua D. Caldwell
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Phonons;
Atom optics;
Optical superlattices;
Atomic layer deposition;
Dielectrics;
Graphene;
Optical coupling;
70.
Bias Stress Stability of Carbon Nanotube Transistors with Implications for Sensors
机译:
碳纳米管晶体管的偏置应力稳定性及其对传感器的影响
作者:
Steven G. Noyce
;
James L. Doherty
;
Aaron D. Franklin
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Degradation;
Sensors;
Semiconductor device measurement;
Performance evaluation;
CNTFETs;
71.
CMOS 3D-Extended Metal Gate ISFETs with Near Nernstian Ion Sensitivity
机译:
具有接近Nernstian离子灵敏度的CMOS 3D扩展金属栅极ISFET
作者:
Jun-Rui Zhang
;
F. Bellando
;
M. Rupakula
;
E. Garcia Cordero
;
N. Ebejer
;
J. Longo
;
F. Wildhaber
;
H. Guerin
;
A.M. Ionescu
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Sensors;
CMOS process;
Aluminum oxide;
Electrodes;
72.
CMOS Technology with Integrated Carbon-Nanotube Contact Plugs
机译:
带有集成式碳纳米管接触塞的CMOS技术
作者:
Clarissa Prawoto
;
Suwen Li
;
Mansun Chan
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Plugs;
MOSFET;
Silicides;
Nickel alloys;
Substrates;
Plasma temperature;
73.
Color-Filtered Si Photodiode Array for On-Chip Calcium Imaging in Living Cells
机译:
用于活细胞片上钙成像的彩色滤光硅光电二极管阵列
作者:
Z. Xiong
;
F.-J. Hwang
;
D. Mao
;
G.-L. Li
;
G. Xu
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Microscopy;
Arrays;
Calcium;
Fluorescence;
Low pass filters;
Light emitting diodes;
74.
Design of InP Segmented-collector DHBTs with Reduced Collector Transit Time τ
c
for Large Power Bandwidth Power Amplifiers
机译:
大功率带宽功率放大器的缩短集电极传输时间τ
c inf>的InP分段集电极DHBT设计
作者:
Yihao Fang
;
Jonathan P. Sculley
;
Miguel E Urteaga
;
Andy D Carter
;
Paul D. Yoder
;
Mark J.W. Rodwell
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
75.
Domain Formation in Ferroelectric Negative Capacitance Devices
机译:
铁电负电容器件中的畴形成
作者:
M. Hoffmann
;
S. Slesazeck
;
T. Mikolajick
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Stability analysis;
Electrostatics;
Permittivity;
Capacitance;
Nanoscale devices;
Electric fields;
Dielectrics;
76.
Drift-enhanced Unsupervised Learning with PCM Synapses
机译:
PCM突触增强漂移的无监督学习
作者:
Yuhan Shi
;
Sangheon Oh
;
Xin Liu
;
Duygu Kuzum
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Phase change materials;
Resistance;
Artificial neural networks;
Synapses;
Unsupervised learning;
Training;
77.
Effective Drive Current in Scaled FinFET and NSFET CMOS Inverters
机译:
比例FinFET和NSFET CMOS反相器中的有效驱动电流
作者:
A. Razavieh
;
Y. Deng
;
P. Zeitzoff
;
M.R. Na
;
J. Frougier
;
G. Karve
;
D.E. Brown
;
T. Yamashita
;
E.J. Nowak
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Delays;
Logic gates;
Inverters;
78.
Electrically Switchable Infrared Nanophotonic Devices with VO
2
机译:
VO
2 inf>的电开关红外纳米光子器件
作者:
Nikita A. Butakov
;
Mark Knight
;
Tomer Lewi
;
Prasad P. Iyer
;
Hamid Chorsi
;
Javier Del
;
Valle Granda
;
Yoav Kalchheim
;
Phillip Hon
;
Ivan K. Schuller
;
Jon A. Schuller
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Optical switches;
Reflectivity;
Optical device fabrication;
Optical films;
Optical imaging;
Optical reflection;
Optical scattering;
79.
Energy-Efficient, Two-Dimensional Analog Memory for Neuromorphic Computing
机译:
用于神经形态计算的节能二维模拟内存
作者:
Mohammad T. Sharbati
;
Yanhao Du
;
Feng Xiong
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Synapses;
Two dimensional displays;
Graphene;
Immune system;
Analog memory;
Energy efficiency;
80.
Enhancement-mode Al
0
$_{mathbf{45}}mathbf{Ga}_{mathbf{0.55}}mathbf{N}/mathbf{Al}_{mathbf{0.3}}mathbf{Ga}_{mathbf{0.7}}mathbf{N}$
High Electron Mobility Transistor with p-
$mathbf{Al}_{mathbf{0.3}}mathbf{Ga}_
机译:
增强模式Al
0 inf>
$ _ { mathbf {45}} mathbf {Ga} _ { mathbf {0.55}} mathbf {N} / mathbf {Al} _ { mathbf {0.3}} mathbf {Ga} _ { mathbf {0.7}} mathbf {N} $ tex>具有p-
$ 的高电子迁移率晶体管 mathbf {Al} _ { mathbf {0.3}} mathbf {Ga} _
作者:
E. A. Douglas
;
B. Klein
;
A. Allerman
;
A. G. Baca
;
T. Fortune
;
A. M. Armstrong
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Threshold voltage;
Hysteresis;
81.
Experimental Investigation of N-Channel Oxygen-Inserted (OI) Silicon Channel MOSFETs with High-K/Metal Gate Stack
机译:
具有高K /金属栅叠层的N沟道氧插入(OI)硅沟道MOSFET的实验研究
作者:
J.A. Smith
;
H. Takeuchi
;
R. Stephenson
;
Y.A. Chen
;
M. Hytha
;
R. J. Mears
;
S. Datta
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Logic gates;
Electron mobility;
MOSFET;
Leakage currents;
Temperature measurement;
82.
Exploring Silver Contact Morphologies in Printed Carbon Nanotube Thin-Film Transistors
机译:
探索印刷碳纳米管薄膜晶体管中的银接触形态
作者:
Jorge A. Cardenas
;
Sophia Upshaw
;
Matthew J. Catenaccr
;
Benjamin J. Wiley
;
Aaron D. Franklin
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Morphology;
Performance evaluation;
Noise measurement;
Ink;
Printers;
Fabrication;
Contacts;
83.
Fast Recovery Performance of β-Ga
2
O
3
Trench MOS Schottky Barrier Diodes
机译:
β-Ga
2 inf> O
3 inf> Trench MOS肖特基势垒二极管的快速恢复性能
作者:
Akio Takatsuka
;
Kohei Sasaki
;
Daiki Wakimoto
;
Quang Tu Thieu
;
Yuki Koishikawa
;
Jun Arima
;
Jun Hirabayashi
;
Daisuke Inokuchi
;
Yoshiaki Fukumitsu
;
Akito Kuramata
;
Shigenobu Yamakoshi
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Schottky diodes;
Substrates;
Schottky barriers;
MOSFET;
Crystals;
Electronic mail;
84.
First demonstration of vacuum-sealed fully integrated BEOL-compatible field emission devices for Si integrated high voltage applications
机译:
首次演示用于Si集成高压应用的真空密封的完全集成BEOL兼容场发射器件
作者:
Nishita Deka
;
Vivek Subramanian
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Anodes;
Logic gates;
Silicon;
Temperature measurement;
Cathodes;
High-voltage techniques;
Temperature;
85.
Flexible Thin-Film PZT Ultrasonic Transducers
机译:
柔性薄膜PZT超声波传感器
作者:
Tianning Liu
;
Jeong Nyeon Kim
;
Susan E. Trolier-McKinstry
;
Thomas N. Jackson
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Polyimides;
Films;
Substrates;
Electrodes;
Ultrasonic transducers;
Transducers;
Resonant frequency;
86.
Gate Leakage in Non-Volatile Ferroelectric Transistors: Device-Circuit Implications
机译:
非易失性铁电晶体管中的栅极泄漏:器件-电路含义
作者:
Sandeen Krishna Thirumala
;
Sumeet Kumar Gunta
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Iron;
Switches;
Field effect transistors;
Discharges (electric);
Gate leakage;
Logic gates;
87.
High performance black phosphorus field-effect transistors with vacuum-annealed low-resistance Ohmic contact
机译:
具有真空退火低电阻欧姆接触的高性能黑磷场效应晶体管
作者:
Hyunik Park
;
Jinho Bae
;
Jihyun Kim
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Field effect transistors;
Performance evaluation;
Contact resistance;
Temperature;
Electrodes;
Optical imaging;
88.
High Performance, Sub-thermionic MoS
2
Transistors using Tunable Schottky Contacts
机译:
使用可调肖特基接触的高性能亚热MoS
2 inf>晶体管
作者:
S. Bhattacharjee
;
K.L. Ganapathi
;
S. Mohan
;
N. Bhat
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Sulfur;
Schottky barriers;
Ions;
Tunneling;
Molybdenum;
Field effect transistors;
89.
High-Performance Few-Layer Tellurium CMOS Devices Enabled by Atomic Layer Deposited Dielectric Doping Technique
机译:
原子层沉积介电掺杂技术实现的高性能很少层碲CMOS器件
作者:
Gang Qiu
;
Mengwei Si
;
Yixiu Wang
;
Xiao Lyu
;
Wenzhuo Wu
;
Peide D. Ye
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Doping;
Tellurium;
Hafnium compounds;
Dielectrics;
Two dimensional displays;
Films;
90.
High-speed 1310 nm Hybrid Silicon Quantum Dot Photodiodes with Ultra-low Dark Current
机译:
具有超低暗电流的高速1310 nm混合硅量子点光电二极管
作者:
Bassem Tossoun
;
Géza Kurczvcil
;
Chong Zhang
;
Di Liang
;
Raymond G. Beausoleil
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Dark current;
Photodiodes;
Photonics;
Fabrication;
Bandwidth;
Optical fiber couplers;
91.
Insinhts on the DC Characterization of Ferroelectric Field-Effect-Transistors
机译:
铁电场效应晶体管的直流表征
作者:
Matthew Jerry
;
Jeffrey A. Smith
;
Kai Ni
;
Atanu Saha
;
Sumeet Gupta
;
Suman Datta
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
92.
Investigation of Threshold Switch OFF -State Resistance on Performance Enhancement in 2D Mos2 Phase-FETs
机译:
阈值开关关态电阻对2D Mos2相FET性能增强的研究
作者:
Benjamin Grisafe
;
Suman Datta
会议名称:
《》
|
2018年
关键词:
Ions;
Resistance;
Switches;
MOSFET;
Molybdenum;
Sulfur;
93.
Localized Heating in Mo'I'ei-Based Resistive Memory Devices
机译:
基于Mo'I'ei的电阻存储设备中的局部加热
作者:
Isha M. Datye
;
Miguel Muñoz Rojo
;
Eilam Yalon
;
Michal J. Mleczko
;
Eric Pop
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Plugs;
Gold;
Heating systems;
Switches;
Electrodes;
Aluminum oxide;
Voltage measurement;
94.
Manufacturable Heterogeneous Integration for Flexible CMOS Electronics
机译:
柔性CMOS电子的可制造异构集成
作者:
Muhammad M. Hussain
;
Sohail F. Shaikh
;
Galo A. Torres Sevilla
;
Joanna M. Nassar
;
Aftab M. Hussain
;
Rabab R. Bahabry
;
Sherjeel M. Khan
;
Arwa T. Kutbee
;
Jhonathan P. Rojas
;
Mohamed T. Ghoneim
;
Melvin Cruz
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
CMOS technology;
Sensors;
Substrates;
Integrated circuits;
Data processing;
Materials reliability;
Reliability engineering;
95.
Multi-level 2-bit/cell operation utilizing Hf-based MONOS nonvolatile memory
机译:
利用基于H的MONOS非易失性存储器进行多级2位/单元操作
作者:
Sohya Kudoh
;
Shun-Ichiro Ohmi
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
MONOS devices;
Nonvolatile memory;
Logic gates;
Electrodes;
Threshold voltage;
Ion implantation;
96.
Modeling of electron transport in nanoribbon devices using Bloch waves
机译:
使用Bloch波建模纳米带器件中的电子传输
作者:
Akash A. Laturia
;
Maarten L. Van de Put
;
Massimo V. Fischetti
;
William G. Vandenberghe
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Electric potential;
Nanoscale devices;
Orbits;
Computational modeling;
Mathematical model;
Three-dimensional displays;
97.
Nonlinearity Enhancement by Positive Pulse Stress in Multilevel Cell Selectorless RRAM Applications
机译:
在多级无单元选择器RRAM应用中通过正脉冲应力增强非线性
作者:
Ying-Chen Chen
;
Xiaohan Wu
;
Yao-Feng Chang
;
Jack C. Lee
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Stress;
Computer architecture;
Hafnium compounds;
Microprocessors;
Random access memory;
Switches;
Graphite;
98.
Novel approach for a monolithically integrated GaN cascode with minimized conduction and switching losses
机译:
用于单片集成GaN共源共栅的新型方法,具有最小的传导和开关损耗
作者:
H. Hahn
;
H. Yacoub
;
T. Zweipfennig
;
G. Lukens
;
S. Kotzea
;
A. Debald
;
A. N Oculak
;
R. Negra
;
H. Kalisch
;
A. Vescan
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Gallium nitride;
Silicon;
HEMTs;
MODFETs;
Electric fields;
Silicon compounds;
99.
Optical Gain and Loss Measurements of Semipolar III-nitride Laser Diodes with ITO/thin-p-GaN Cladding Layers
机译:
具有ITO / p-p-GaN包覆层的半极性III氮化物激光二极管的光学增益和损耗测量
作者:
Shlomo Mehari
;
Daniel A. Cohen
;
Daniel L. Becerrea
;
Claude Weisbuch
;
Shuji Nakamura
;
Steven P. DenBaars
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
100.
Paper electronics: a sustainable multifunctional platform
机译:
造纸电子:可持续的多功能平台
作者:
Elvira Fortunato
;
Diana Gaspar
;
Ines Cunha
;
Manuel Mendes
;
António Vicente
;
Hugo Aguas
;
Ana Carolina Marques
;
Ana Pimentel
;
Daniela Nunes
;
Luís Pereira
;
Rodrigo Martins
会议名称:
《2018 76th Device Research Conference》
|
2018年
关键词:
Substrates;
Photovoltaic cells;
Transistors;
Electrolytes;
Microorganisms;
Organic electronics;
Dielectrics;
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