基于多浮空场板与阴极场板复合结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于多浮空场板与阴极场板复合结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)和势垒层(5)，该势垒层(5)上方设有阳极(6)和阴极(7)，该阳极(6)与阴极(7)之间为钝化层(8)，该钝化层上淀积有n个浮空场板(9)和一个阴极场板(10)，用于降低阳极与阴极下方边缘电场峰值，提高击穿电压n≥1，本发明具有工艺简单、成品率高和可靠性好的优点，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。