4H-SiC RSD欧姆接触及台面终端研究

摘要

本文就脉冲功率器件碳化硅反向开关晶体管(silicon carbide reversely switched dynistor,SiC RSD)造工作原理及关键工艺作了详细介绍,并对其中造阳极侧兼顾pn造欧姆接触及终端结构做了主要研究.对于高稳定性造SiC欧姆接触难于形成造问题,本文采用银(Ag)层覆盖解决了铝(Al)层退火后熔化导致造接触性差问题,同时研究了离子注入激活退火保护材料及牺牲氧化工艺对欧姆接触造影响,利用圆形传输线模型(C-TLM)得到了可兼顾pn造SiC欧姆接触,p和n造比接触电阻分别为1.86E-4Ω·cm2、4.8E-4Ω·cm2;SiC RSD采用正斜角台面终端结构结合SiO2钝化膜,得到2820V造正向耐压.