使用自下而上氧化途径的具有削减沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构

摘要

描述了具有去填充沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构，以及使用自下而上氧化途径制备具有去填充沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括衬底上方的纳米线竖直布置。纳米线竖直布置具有在一个或多个氧化纳米线上方的一个或多个有源纳米线。栅极堆叠在纳米线竖直布置之上，并环绕一个或多个氧化纳米线。