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Symposium on VLSI Technology
Symposium on VLSI Technology
召开年:
2014
召开地:
Honolulu, HI(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Advanced RMG module to improve AC/DC performance for 14nm FinFETs and beyond
机译:
先进的RMG模块可改善14nm FinFET及其以后的AC / DC性能
作者:
Togo M.
;
Joshi M.
;
Meer H.V.
;
Liu Y.
;
Yong C.
;
Liu B.
;
He X.
;
Wu X.
;
Mun S.Y.
;
Zhang X.
;
Konduparthi D.
;
Lian J.
;
Bohra G.
;
Tong W.H.
;
Xiao C.Y.
;
Triyoso D.
;
Banghart E.
;
Pandey S.M.
;
Wei A.
;
Pal R.
;
Carter R.
;
Nam M.H.
;
Eller M.
;
Samavedam S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Capacitance;
Delays;
FinFETs;
Logic gates;
Optimization;
Performance evaluation;
Very large scale integration;
2.
A copper ReRAM cell for Storage Class Memory applications
机译:
用于存储类存储器应用的铜制ReRAM单元
作者:
Sills Scott
;
Yasuda Shuichiro
;
Strand Jonathan
;
Calderoni Alessandro
;
Aratani Katsuhisa
;
Johnson Adam
;
Ramaswamy Nirmal
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Bit error rate;
Bridge circuits;
Materials;
Noise;
Random access memory;
Resistance;
Switches;
3.
The demonstration of colossal magneto-capacitance and #x201C;negative#x201D; capacitance effect with the promising characteristics of Jg-EOT and transistor#039;s performance on Ge (100) n-FETs by the novel magnetic gate stack scheme design
机译:
通过新颖的磁性栅堆叠方案设计,演示了具有巨大的Jg-EOT特性的巨大磁电容和“负”电容效应以及在Ge(100)n-FET上晶体管的性能
作者:
Liao M.-H.
;
Huang S.C.
;
Liu C.Y.
;
Chen P.G.
;
Kao S.C.
;
Lien C.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Capacitance;
Dielectrics;
Logic gates;
Magnetic fields;
Magnetic resonance imaging;
Perpendicular magnetic anisotropy;
4.
Process technology scaling in an increasingly interconnect dominated world
机译:
在互连日益主导的世界中进行工艺技术扩展
作者:
Clarke James S.
;
George Christopher
;
Jezewski Christopher
;
Caro Arantxa Maestre
;
Michalak David
;
Torres Jessica
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Capacitance;
Copper;
Films;
Integrated circuit interconnections;
Resistance;
Wires;
Interconnect scaling;
RC delay;
capacitance;
power;
resistance;
5.
The experimental demonstration of the BTI-induced breakdown path in 28nm high-k metal gate technology CMOS devices
机译:
在28nm高k金属栅极技术CMOS器件中BTI引起的击穿路径的实验演示
作者:
Hsieh E.R.
;
Lu P.Y.
;
Chung Steve S.
;
Chang K.Y.
;
Liu C.H.
;
Ke J.C.
;
Yang C.W.
;
Tsai C.T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Dielectrics;
Electric breakdown;
Electron traps;
Logic gates;
MOSFET;
Metals;
Stress;
6.
A novel curved CMOS image sensor integrated with imaging system
机译:
集成了成像系统的新型弯曲CMOS图像传感器
作者:
Itonaga K.
;
Arimura T.
;
Matsumoto K.
;
Kondo G.
;
Terahata K.
;
Makimoto S.
;
Baba M.
;
Honda Y.
;
Bori S.
;
Kai T.
;
Kasahara K.
;
Nagano M.
;
Kimura M.
;
Kinoshita Y.
;
Kishida E.
;
Baba T.
;
Baba S.
;
Nomura Y.
;
Tanabe N.
;
Kimizuka N.
;
Matoba Y.
;
Takachi T.
;
Takagi E.
;
Haruta T.
;
Ikebe N.
;
Matsuda K.
;
Niimi T.
;
Ezaki T.
;
Hirayama T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Dark current;
Imaging;
Lenses;
Sensitivity;
Shape;
Tensile stress;
7.
What can we do about barrier layer scaling to 5 nm node technology ?
机译:
我们如何才能将阻挡层缩放到5 nm节点技术?
作者:
Koike Junichi
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Filling;
Manganese;
Materials;
Reliability;
Sputtering;
Surface treatment;
8.
Ultralow-voltage design and technology of silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) CMOS for highly energy efficient electronics in IoT era
机译:
物联网时代用于高能效电子产品的超薄埋氧化硅(SOTB)CMOS超低压设计和技术
作者:
Kamohara Shiro
;
Sugii Nobuyuki
;
Yamamoto Yoshiki
;
Makiyama Hideki
;
Yamashita Tomohiro
;
Hasegawa Takumi
;
Okanishi Shinobu
;
Yanagita Hiroshi
;
Kadoshima Masaru
;
Maekawa Keiichi
;
Mitani Hitoshi
;
Yamagata Yasushi
;
Oda Hidekazu
;
Yamaguchi Yasuo
;
Ishibashi Koichiro
;
Amano Hideharu
;
Usami Kimiyoshi
;
Kobayashi Kazutoshi
;
Mizutani Tomoko
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Delays;
Logic gates;
Mobile communication;
Random access memory;
Silicides;
Transistors;
9.
Device-level PBTI-induced timing jitter increase in circuit-speed random logic operation
机译:
电路速度随机逻辑操作中设备级PBTI引起的时序抖动增加
作者:
Lu J.W.
;
Vaz C.
;
Campbell J.P.
;
Ryan J.T.
;
Cheung K.P.
;
Jiao G.F.
;
Bersuker G.
;
Young C.D.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Degradation;
Logic gates;
Stress;
Stress measurement;
Time measurement;
Timing jitter;
10.
Integration of silicon photonics in bulk CMOS
机译:
硅光子在体CMOS中的集成
作者:
Meade Roy
;
Orcutt Jason S.
;
Mehta Karan
;
Tehar-Zahav Ofer
;
Miller Daniel
;
Georgas Michael
;
Moss Ben
;
Chen Sun
;
Yu-Hsin Chen
;
Shainline Jeffrey
;
Wade Mark
;
Bafrali Reha
;
Sternberg Zvi
;
Machavariani Galina
;
Sandhu Gurtej
;
Popovic Milos
;
Ram Rajeev
;
Stojanovic Vladimir
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Attenuation;
CMOS integrated circuits;
Couplers;
Gratings;
Optical waveguides;
Silicon germanium;
Silicon photonics;
CMOS;
optical interconnect;
silicon photonics;
11.
Systematic study of RTN in nanowire transistor and enhanced RTN by hot carrier injection and negative bias temperature instability
机译:
热载流子注入和负偏置温度不稳定性对纳米线晶体管中RTN和增强型RTN的系统研究
作者:
Ota Kensuke
;
Saitoh Masumi
;
Tanaka Chika
;
Matsushita Daisuke
;
Numata Toshinori
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Fluctuations;
Human computer interaction;
Logic gates;
Size measurement;
Stress;
Threshold voltage;
Time measurement;
12.
Demonstration of Ge pMOSFETs with 6 #x00C5; EOT using TaN/ZrO
2
/Zr-cap-Ge(100) gate stack fabricated by novel vacuum annealing and in-situ metal capping method
机译:
使用新型真空退火和原位金属压盖法制造的TaN / ZrO
2 inf> / Zr-cap / n-Ge(100)栅叠层演示6ÅEOT的Ge pMOSFET
作者:
Shin Yunsang
;
Chung Wonil
;
Seo Yujin
;
Lee Choong-Ho
;
Sohn Dong Kyun
;
Cho Byung Jin
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Abstracts;
Annealing;
Benchmark testing;
Hafnium oxide;
MOS capacitors;
MOSFET circuits;
Zirconium;
13.
Anti-fuse memory array embedded in 14nm FinFET CMOS with novel selector-less bit-cell featuring self-rectifying characteristics
机译:
嵌入14nm FinFET CMOS的反熔丝存储阵列,具有新颖的无选择器位单元,具有自整流特性
作者:
Liu Y.
;
Chi M.H.
;
Mittal A.
;
Aluri G.
;
Uppal S.
;
Paliwoda P.
;
Banghart E.
;
Korablev K.
;
Liu B.
;
Nam M.
;
Eller M.
;
Samavedam S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Arrays;
Dielectrics;
FinFETs;
Logic gates;
Programming;
Resistors;
14.
Monolithic three-dimensional integration of carbon nanotube FETs with silicon CMOS
机译:
碳纳米管FET与硅CMOS的单片三维集成
作者:
Shulaker Max M.
;
Saraswat Krishna
;
Wong H.-S.Philip
;
Mitra Subhasish
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
CNTFETs;
Inverters;
Logic gates;
Silicon;
Three-dimensional displays;
15.
The demonstration of D-SMT stressor on Si and Ge n-FinFETs
机译:
Si和Ge n-FinFET上D-SMT应力源的演示
作者:
Liao M.-H.
;
Chen P.G.
;
Huang S.C.
;
Kao S.C.
;
Hung C.X.
;
Liu K.H.
;
Lien C.
;
Liu C.Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Crystals;
Electron mobility;
Films;
FinFETs;
Logic gates;
Silicon;
Stress;
16.
Band-to-band tunneling current enhancement utilizing isoelectronic trap and its application to TFETs
机译:
利用等电阱增强带间隧穿电流及其在TFET中的应用
作者:
Mori Takahiro
;
Morita Yukinori
;
Miyata Noriyuki
;
Migita Shinji
;
Fukuda Koichi
;
Masahara Meishoku
;
Yasuda Tetsuji
;
Ota Hiroyuki
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Boosting;
Impurities;
Junctions;
Semiconductor diodes;
Silicon;
Temperature;
Tunneling;
17.
In-situ contact formation for ultra-low contact resistance NiGe using carrier activation enhancement (CAE) techniques for Ge CMOS
机译:
使用用于Ge CMOS的载流子激活增强(CAE)技术原位形成超低接触电阻NiGe
作者:
Miyoshi Hidenori
;
Ueno Tetsuji
;
Akiyama Koji
;
Hirota Yoshihiro
;
Kaitsuka Takanobu
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Computer aided engineering;
Contact resistance;
Implants;
Lasers;
MOS devices;
Metals;
18.
High performance mobile SoC design and technology co-optimization to mitigate high-K metal gate process induced variations
机译:
高性能移动SoC设计和技术共同优化以缓解高K金属栅极工艺引起的变化
作者:
Yang Sam
;
Ge Lixin
;
Lin Jeff
;
Han Michael
;
Yang Da
;
Wang Joseph
;
Mahmood Kasim
;
Song Tony
;
Yuan Dana
;
Seo Dongwon
;
Pedrali-Noy Marzio
;
Alladi Dinesh
;
Wadhwa Sameer
;
Bai Xiaoliang
;
Dai Liang
;
Yoon Sei Seung
;
Terzioglu Esin
;
Bazarjani Seyfi
;
Yeap Geoffrey
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
High K dielectric materials;
Logic gates;
Metals;
Mobile communication;
Optimization;
Resistance;
System-on-chip;
19.
Time-dependent variation: A new defect-based prediction methodology
机译:
与时间有关的变化:一种新的基于缺陷的预测方法
作者:
Duan M.
;
Zhang J.F.
;
Ji Z.
;
Zhang W.
;
Kaczer B.
;
Schram T.
;
Ritzenthaler R.
;
Thean A.
;
Groeseneken G.
;
Asenov A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Discharges (electric);
Educational institutions;
Predictive models;
Random access memory;
Stress;
Temperature measurement;
Very large scale integration;
20.
A highly scalable STT-MRAM fabricated by a novel technique for shrinking a magnetic tunnel junction with reducing processing damage
机译:
通过一种新颖的技术制造的高度可扩展的STT-MRAM,用于缩小磁隧道结并减少工艺损伤
作者:
Iba Y.
;
Takahashi A.
;
Hatada A.
;
Nakabayashi M.
;
Yoshida C.
;
Yamazaki Y.
;
Tsunoda K.
;
Sugii T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Etching;
Films;
Junctions;
Magnetic tunneling;
Oxidation;
Resistance;
Switches;
21.
Analog, RF, and ESD device challenges and solutions for 14nm FinFET technology and beyond
机译:
针对14nm FinFET技术及更高版本的模拟,RF和ESD器件挑战和解决方案
作者:
Singh Jagar
;
Jerome Ciavatti
;
Wei Andy
;
Miller Roderick
;
Arnaud Bousquet
;
Lili Cheng
;
Zang Hui
;
Kasun Punchihewa
;
Manjunatha Prabhu
;
Biswanath Senapati
;
Kumar Anil
;
Pandey Shesh Mani
;
Iyer Natarajan M.
;
Mittal Anurag
;
Carter Rick
;
Zhao Lun
;
Manfred Eller
;
Samavedam Srikanth
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Electrostatic discharges;
FinFETs;
Junctions;
Performance evaluation;
Radio frequency;
Resistors;
22.
IoT design space challenges: Circuits and systems
机译:
物联网设计空间挑战:电路和系统
作者:
Blaauw D.
;
Sylvester D.
;
Dutta P.
;
Lee Y.
;
Lee I.
;
Bang S.
;
Kim Y.
;
Kim G.
;
Pannuto P.
;
Kuo Y.-S.
;
Yoon D.
;
Jung W.
;
Foo Z.
;
Chen Y.-P.
;
Oh S.
;
Jeong S.
;
Choi M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Batteries;
Monitoring;
Oscillators;
Power demand;
Temperature measurement;
Temperature sensors;
23.
Lateral and vertical scaling impact on statistical performances and reliability of 10nm TiN/Hf(Al)O/Hf/TiN RRAM devices
机译:
横向和纵向缩放对10nm TiN / Hf(Al)O / Hf / TiN RRAM器件的统计性能和可靠性的影响
作者:
Fantini A.
;
Goux L.
;
Redolfi A.
;
Degraeve R.
;
Kar G.
;
Chen Y.Y
;
Jurczak M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Degradation;
Hafnium oxide;
Programming;
Reliability;
Resistance;
Tin;
24.
Flash-based nonvolatile programmable switch for low-power and high-speed FPGA by adjacent integration of MONOS/logic and novel programming scheme
机译:
通过将MONOS /逻辑与新颖的编程方案相邻集成,基于闪存的低功耗,非易失性FPGA非易失性可编程开关
作者:
Zaitsu Koichiro
;
Tatsumura Kosuke
;
Matsumoto Mari
;
Oda Masato
;
Fujita Shinobu
;
Yasuda Shinichi
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Field programmable gate arrays;
Logic gates;
MONOS devices;
Nonvolatile memory;
Programming;
Transistors;
Writing;
25.
Electrostatics and performance benchmarking using all types of III#x2013;V multi-gate FinFETs for sub 7nm technology node logic application
机译:
使用所有类型的III–V多栅极FinFET进行静电和性能基准测试,以实现低于7nm的技术节点逻辑应用
作者:
Baek R.-H.
;
Kim D.-H.
;
Kim T.-W.
;
Shin CS.
;
Park WK.
;
Michalak T.
;
Borst C.
;
Song S.C.
;
Yeap Geoffrey
;
Hill R.
;
Hobbs C.
;
Maszara W.
;
Kirsch P.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Benchmark testing;
Electrostatics;
FinFETs;
MOSFET circuits;
Quantum capacitance;
Silicon;
26.
TSV technology and challenges for 3D stacked DRAM
机译:
TSV技术和3D堆叠DRAM面临的挑战
作者:
Chang Yeol Lee
;
Sungchul Kim
;
Hongshin Jun
;
Kyung Whan Kim
;
Sung Joo Hong
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Maintenance engineering;
Metals;
Process control;
Random access memory;
Stacking;
Three-dimensional displays;
Through-silicon vias;
27.
Simple Gate Metal Anneal (SIGMA) stack for FinFET Replacement Metal Gate toward 14nm and beyond
机译:
简单栅极金属退火(SIGMA)堆叠,用于14纳米及以上的FinFET替代金属栅极
作者:
Ando T.
;
Kannan B.
;
Kwon U.
;
Lai W.L.
;
Linder B.P.
;
Cartier E.A.
;
Haight R.
;
Copel M.
;
Bruley J.
;
Krishnan S.A.
;
Narayanan V.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
CMOS integrated circuits;
FinFETs;
Logic gates;
Resistance;
Tin;
28.
Deep insights into low frequency noise behavior of tunnel FETs with source junction engineering
机译:
通过源结工程技术深入了解隧道FET的低频噪声行为
作者:
Huang Qianqian
;
Huang Ru
;
Chen Cheng
;
Wu Chunlei
;
Wang Jiaxin
;
Wang Chao
;
Wang Yangyuan
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Electric fields;
Electron traps;
Junctions;
Logic gates;
MOSFET;
Noise;
Noise measurement;
29.
Electrical and reliability characteristics of a scaled (∼30nm) tunnel barrier selector (W/Ta2O5/TaOx/TiO2/TiN) with excellent performance (JMAX > 107A/cm2)
机译:
具有出色性能(JMAX> 107A / cm2)的比例缩放(〜30nm)隧道势垒选择器(W / Ta2O5 / TaOx / TiO2 / TiN)的电气和可靠性特性
作者:
Woo Jiyong
;
Jeonghwan Song
;
Kibong Moon
;
Lee Ji Hyun
;
Euijun Cha
;
Prakash Amit
;
Daeseok Lee
;
Sangheon Lee
;
Jaesung Park
;
Yunmo Koo
;
Chan Gyung Park
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Current density;
Electrodes;
Performance evaluation;
Reliability;
Resistance;
Switches;
Tin;
30.
Design methodology of tri-gate poly-Si MOSFETs with 10nm nanowire channel to enhance short-channel performance and reduce V
th
amp; I
d
variability
机译:
具有10nm纳米线沟道的三栅极多晶硅MOSFET的设计方法,可增强短沟道性能并减小V
inf>和I
d inf>的可变性
作者:
Saitoh Masumi
;
Ota Kensuke
;
Tanaka Chika
;
Numata Toshinori
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Grain boundaries;
Grain size;
Impurities;
Logic gates;
Silicon;
Three-dimensional displays;
31.
III#x2013;V single structure CMOS by using ultrathin body InAs/GaSb-OI channels on Si
机译:
使用Si上的超薄InAs / GaSb-OI通道的III–V单结构CMOS
作者:
Yokoyama M.
;
Yokoyama H.
;
Takenaka M.
;
Takagi S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Logic gates;
MOSFET;
MOSFET circuits;
Metals;
Periodic structures;
Silicon;
32.
High-performance MoS
2
field-effect transistors enabled by chloride doping: Record low contact resistance (0.5 k#x03A9;#x00B7;#x00B5;m) and record high drain current (460 #x00B5;A/#x00B5;m)
机译:
通过氯化物掺杂实现的高性能MoS
2 inf>场效应晶体管:记录低接触电阻(0.5kΩ·µm)和记录高漏电流(460 µA / µm)
作者:
Lingming Yang
;
Majumdar Kausik
;
Du Yuchen
;
Liu Han
;
Heng Wu
;
Hatzistergos Michael
;
Hung P.Y.
;
Tieckelmann Robert
;
Tsai Wilman
;
Hobbs Chris
;
Ye Peide D.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Doping;
Field effect transistors;
Gold;
Logic gates;
Nickel;
Time-domain analysis;
Time-varying systems;
33.
First demonstration of strained SiGe nanowires TFETs with ION beyond 700#x00B5;A/#x00B5;m
机译:
首次展示离子强度超过700µA / µm的应变SiGe纳米线TFET
作者:
Villalon A.
;
Le Royer C.
;
Nguyen P.
;
Barraud S.
;
Glowacki F.
;
Revelant A.
;
Selmi L.
;
Cristoloveanu S.
;
Tosti L.
;
Vizioz C.
;
Hartmann J.-M.
;
Bernier N.
;
Previtali B.
;
Tabone C.
;
Allain F.
;
Martinie S.
;
Rozeau O.
;
Vinet M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Nanowires;
Silicon germanium;
Tunneling;
Very large scale integration;
Wires;
34.
Highly scalable bulk FinFET Devices with Multi-V
T
options by conductive metal gate stack tuning for the 10-nm node and beyond
机译:
通过针对10 nm及更高节点的导电金属栅叠层调谐,提供具有Multi-V
T inf>选项的高度可扩展的批量FinFET器件
作者:
Ragnarsson L.-A.
;
Chew S.A.
;
Dekkers H.
;
Luque M.Toledano
;
Parvais B.
;
De Keersgieter A.
;
Devriendt K.
;
Van Ammel A.
;
Schram T.
;
Yoshida N.
;
Phatak A.
;
Han K.
;
Colombeau B.
;
Brand A.
;
Horiguchi N.
;
Thean A.V.-Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Doping;
FinFETs;
Implants;
Logic gates;
Nitrogen;
Tin;
35.
III#x2013;V CMOS devices and circuits with high-quality atomic-layer-epitaxial La
2
O
3
/GaAs interface
机译:
具有高质量原子层外延La
2 inf> O
3 inf> / GaAs接口的III–V CMOS器件和电路
作者:
Dong L.
;
Wang X.W.
;
Zhang J.Y.
;
Li X.F.
;
Lou X.B.
;
Conrad N.
;
Wu H.
;
Gordon R.G.
;
Ye P.D.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Epitaxial growth;
Gallium arsenide;
Inverters;
Logic gates;
MOSFET;
MOSFET circuits;
36.
Undoped Ge
0.92
Sn
0.08
quantum well PMOSFETs on (001), (011) and (111) substrates with in situ Si
2
H
6
passivation: High hole mobility and dependence of performance on orientation
机译:
(001),(011)和(111)衬底上原位Si
2 inf> H
0.92 inf> Sn
0.08 inf>量子阱PMOSFET > 6 inf>钝化:高空穴迁移率以及性能对取向的依赖性
作者:
Liu Mingshan
;
Han Genquan
;
Liu Yan
;
Zhang Chunfu
;
Wang Hongjuan
;
Li Xiangdong
;
Zhang Jincheng
;
Cheng Buwen
;
Hao Yue
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Hafnium compounds;
Logic gates;
MOSFET;
Passivation;
Silicon;
Strain;
Substrates;
37.
Strained Si
1#x2212;x
Ge
x
-on-insulator PMOS FinFETs with excellent sub-threshold leakage, extremely-high short-channel performance and source injection velocity for 10nm node and beyond
机译:
绝缘体上应变Si
1-x inf> Ge
x inf> -PMOS FinFET具有出色的亚阈值泄漏,极高的短沟道性能和10nm及更高节点的源极注入速度
作者:
Hashemi Pouya
;
Balakrishnan Karthik
;
Majumdar Amlan
;
Khakifirooz Ali
;
Kim Wanki
;
Baraskar Ashish
;
Yang Li A.
;
Chan Kevin
;
Engelmann Sebastian U.
;
Ott John A.
;
Antoniadis Dimitri A.
;
Leobandung Effendi
;
Park Dae-Gyu
会议名称:
《》
|
2014年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Passivation;
Performance evaluation;
Silicon;
Silicon germanium;
Very large scale integration;
38.
Comprehensive statistical investigation of STT-MRAM thermal stability
机译:
STT-MRAM热稳定性的综合统计调查
作者:
Hofmann Karl
;
Knobloch Klaus
;
Peters Christian
;
Allinger Robert
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Equations;
Mathematical model;
Resistance;
Stability analysis;
Switches;
Temperature measurement;
Thermal stability;
39.
Thermally robust CMOS-aware Ge MOSFETs with high mobility at high-carrier densities on a single orientation Ge substrate
机译:
具有热稳定性的CMOS感知Ge MOSFET,在单一方向Ge衬底上以高载流子密度实现高迁移率
作者:
Lee C.H.
;
Lu C.
;
Nishimura T.
;
Nagashio K.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Electron mobility;
Rough surfaces;
Scattering;
Surface roughness;
Surface treatment;
40.
Statistical demonstration of silicide-like uniform and ultra-low specific contact resistivity using a metal/high-k/Si stack in a sidewall contact test structure
机译:
在侧壁接触测试结构中使用金属/高k / Si叠层的硅化物样均匀且超低比接触电阻率的统计证明
作者:
Majumdar K.
;
Clark R.
;
Ngai T.
;
Tapily K.
;
Consiglio S.
;
Bersch E.
;
Matthews K.
;
Stinzianni E.
;
Trickett Y.
;
Nakamura G.
;
Wajda C.
;
Leusink G.
;
Chong H.
;
Kaushik V.
;
Woicik J.
;
Hobbs C.
;
Kirsch P.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Doping;
High K dielectric materials;
Metals;
Resistance;
Silicides;
Silicon;
Tunneling;
41.
Fast step-down set algorithm of resistive switching memory with low programming energy and significant reliability improvement
机译:
电阻编程存储器的快速降压设置算法,具有较低的编程能量和显着的可靠性提高
作者:
Meng Y.
;
Xue X.Y.
;
Song Y.L.
;
Yang J.G.
;
Chen B.A.
;
Lin Y.Y.
;
Zou Q.T.
;
Huang R.
;
Wu J.G.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Ions;
Optimization;
Programming;
Reliability;
Shape;
Switches;
Very large scale integration;
ReRAM;
endurance;
retention;
self-adaptive;
42.
A fast and low-voltage Cu complementary-atom-switch 1Mb array with high-temperature retention
机译:
具有高温保持能力的快速低压铜互补原子开关1Mb阵列
作者:
Banno N.
;
Tada M.
;
Sakamoto T.
;
Miyamura M.
;
Okamoto K.
;
Iguchi N.
;
Nohisa T.
;
Hada H.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Arrays;
Metals;
Optical switches;
Programming;
Resistance;
Stress;
Atom switch;
BEOL device;
Nonvolatile programmable logic;
43.
Group IV channels for 7nm FinFETs: Performance for SoCs power and speed metrics
机译:
用于7nm FinFET的第IV组通道:SoC性能和功率指标
作者:
Bardon M.Garcia
;
Raghavan P.
;
Eneman G.
;
Schuddinck P.
;
Dehan M.
;
Mercha A.
;
Thean A.
;
Verkest D.
;
Steegen A.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
FinFETs;
Leakage currents;
Mobile communication;
Resistance;
Silicon;
System-on-chip;
7nm;
DTCO;
44.
Paper memory by all printing technology
机译:
所有打印技术的纸张存储
作者:
Lien Der-Hsien
;
Kuo Zhen-Kai
;
Huang Teng-Han
;
Liao Ying-Chih
;
Lee Si-Chen
;
He Hau
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Electrodes;
Optical imaging;
Optical pulses;
Optical switches;
Printing;
Substrates;
45.
Chip Package Interaction with fine pitch Cu pillar bump using mass reflow and thermal compression bonding assembly process for 20nm/16nm and beyond
机译:
芯片封装与精细间距的铜柱凸点之间的相互作用,采用质量回流和热压键合组装工艺,适用于20nm / 16nm及更高的工艺
作者:
Lily Zhao
;
Bao Andy
;
Yangyang Sun
;
Chun-Jen Chen
;
Tsai Scott
;
Lee Kenny
;
Xuefeng Zhang
;
Perry Dan
;
Kalleberg Tor
;
Han Michael
;
Bezuk Steve
;
Yeap Geoffrey
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Assembly;
Bonding;
Delamination;
Metals;
Reliability;
Stress;
Substrates;
46.
Bottom oxidation through STI (BOTS) #x2014; A novel approach to fabricate dielectric isolated FinFETs on bulk substrates
机译:
通过STI进行底部氧化(BOTS)—一种在体衬底上制造介电隔离FinFET的新颖方法
作者:
Cheng K.
;
Seo S.
;
Faltermeier J.
;
Lu D.
;
Standaert T.
;
Ok I.
;
Khakifirooz A.
;
Vega R.
;
Levin T.
;
Li J.
;
Demarest J.
;
Surisetty C.
;
Song D.
;
Utomo H.
;
Chao R.
;
He H.
;
Madan A.
;
DeHaven P.
;
Klymko N.
;
Zhu Z.
;
Naczas S.
;
Yin Y.
;
Kuss J.
;
Jacob A.
;
Bae D.
;
Seo K.
;
Kleemeier W.
;
Sampson R.
;
Hook T.
;
Haran B.
;
Gifford G.
;
Gupta D.
;
Shang H.
;
Bu H.
;
Na M.
;
Oldiges P.
;
Wu T.
;
Doris B.
;
Rim K.
;
Nowak E.
;
Divakaruni R.
;
Khare M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Oxidation;
Silicon;
Stress;
Substrates;
47.
Spatial mapping of non-uniform time-to-breakdown and physical evidence of defect clustering
机译:
故障发生时间不均匀的空间映射和缺陷聚类的物理证据
作者:
Wu Ernest Y.
;
Baozhen Li
;
Stathis James H.
;
Linder Barry
;
Shaw Thomas
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Data models;
Dielectric breakdown;
Dielectrics;
Graphical models;
Leakage currents;
Reliability;
Semiconductor device modeling;
48.
Demonstration of fully functional 8Mb perpendicular STT-MRAM chips with sub-5ns writing for non-volatile embedded memories
机译:
演示具有5ns以下写入功能的全功能8Mb垂直STT-MRAM芯片,用于非易失性嵌入式存储器
作者:
Jan Guenole
;
Thomas Luc
;
Le Son
;
Lee Yuan-Jen
;
Liu Huanlong
;
Zhu Jian
;
Tong Ru-Ying
;
Pi Keyu
;
Wang Yu-Jen
;
Shen Dongna
;
He Renren
;
Haq Jesmin
;
Teng Jeffrey
;
Lam Vinh
;
Huang Kenlin
;
Zhong Tom
;
Torng Terry
;
Wang Po-Kang
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Error correction codes;
Magnetic tunneling;
Memory management;
Microprocessors;
Temperature distribution;
Writing;
MRAM;
data retention;
embedded memory;
49.
Performance and reliability of high-mobility Si
0.55
Ge
0.45
p-channel FinFETs based on epitaxial cladding of Si Fins
机译:
基于Si Fins外延包覆的高迁移率Si
0.55 inf> Ge
0.45 inf> p沟道FinFET的性能和可靠性
作者:
Mertens H.
;
Ritzenthaler R.
;
Hikavyy A.
;
Franco J.
;
Lee J.W.
;
Brunco D.P.
;
Eneman G.
;
Witters L.
;
Mitard J.
;
Kubicek S.
;
Devriendt K.
;
Tsvetanova D.
;
Milenin A.P.
;
Vrancken C.
;
Geypen J.
;
Bender H.
;
Groeseneken G.
;
Vandervorst W.
;
Barla K.
;
Collaert N.
;
Horiguchi N.
;
Thean A.V-Y
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Epitaxial growth;
FinFETs;
Logic gates;
Semiconductor device reliability;
Silicon;
Silicon germanium;
50.
Effect of traps on transient bit-line current behavior in word-line stacked nand flash memory with poly-Si body
机译:
陷阱对具有多晶硅体的字线堆叠Nand闪存中瞬态位线电流行为的影响
作者:
Kang Ho-Jung
;
Jeong Min-Kyu
;
Joe Sung-Min
;
Seo Ji-Hyun
;
Park Sung-Kye
;
Jin Sung Hun
;
Park Byung-Gook
;
Lee Jong-Ho
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Dielectrics;
Electron traps;
Flash memories;
Logic gates;
Substrates;
Transient analysis;
Tunneling;
51.
Ge CMOS: Breakthroughs of nFETs (I
max
=714 mA/mm, g
max
=590 mS/mm) by recessed channel and S/D
机译:
Ge CMOS:凹陷的沟道和S / D突破了nFET(I
max inf> = 714 mA / mm,g
max inf> = 590 mS / mm)的突破
作者:
Wu Heng
;
Si Mengwei
;
Dong Lin
;
Zhang Jingyun
;
Ye Peide D.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
CMOS technology;
Contact resistance;
Logic gates;
Nickel;
Silicon;
Very large scale integration;
52.
Record I
on
(0.50 mA/#x00B5;m at V
DD
= 0.5 V and I
off
= 100 nA/#x00B5;m) 25 nm-gate-length ZrO
2
/InAs/InAlAs MOSFETs
机译:
记录I
on inf>(在V
DD inf> = 0.5 V且I
off inf> = 100 nA / µm时为0.50 mA / µm)25 nm栅极长度ZrO
2 inf> / InAs / InAlAs MOSFET
作者:
Lee S.
;
Chobpattana V.
;
Huang C.-Y.
;
Thibeault B.J.
;
Mitchell W.
;
Stemmer S.
;
Gossard A.C.
;
Rodwell M.J.W.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Dielectrics;
Indium compounds;
Logic gates;
MOSFET;
Metals;
Very large scale integration;
53.
Verification on the extreme scalability of STT-MRAM without loss of thermal stability below 15 nm MTJ cell
机译:
验证STT-MRAM的极佳可扩展性而不会损失低于15 nm MTJ单元的热稳定性
作者:
Kim Ju Hyun
;
Lim W.C.
;
Pi U.H.
;
Lee J.M.
;
Kim W.K.
;
Kim J.H.
;
Kim K.W.
;
Park Y.S.
;
Park S.H.
;
Kang M.A.
;
Kim Y.H.
;
Kim W.J.
;
Kim S.Y.
;
Park J.H.
;
Lee S.C.
;
Lee Y.J.
;
Yoon J.M.
;
Oh S.C.
;
Park S.O.
;
Jeong S.
;
Nam S.W.
;
Kang H.K.
;
Jung E.S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Magnetic switching;
Magnetic tunneling;
Scalability;
Stability analysis;
Switches;
Thermal factors;
Thermal stability;
MRAM;
switching margin;
thermal stability;
54.
Towards the integration of both ROM and RAM functions phase change memory cells on a single die for system-on-chip (SOC) applications
机译:
在单个芯片上实现ROM和RAM功能的相变存储单元的集成,以实现片上系统(SOC)应用
作者:
Lung H.L.
;
BrightSky M.
;
Chien W.C.
;
Wu J.Y.
;
Kim S.
;
Kim W.
;
Cheng H.Y.
;
Zhu Y.
;
Wang T.Y.
;
Cheek R.
;
Bruce R.
;
Lam C.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Abstracts;
Capacitors;
Electrodes;
Phase change materials;
Random access memory;
Read only memory;
Thermal resistance;
55.
Ultra thinning down to 4-#x00B5;m using 300-mm wafer proven by 40-nm node 2Gb DRAM for 3D multi-stack WOW applications
机译:
使用经40纳米节点2Gb DRAM验证的300毫米晶圆,超薄至4微米,用于3D多堆叠WOW应用
作者:
Kim Y.S.
;
Kodama S.
;
Mizushima Y.
;
Maeda N.
;
Kitada H.
;
Fujimoto K.
;
Nakamura T.
;
Suzuki D.
;
Kawai A.
;
Arai K.
;
Ohba T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Degradation;
Positrons;
Random access memory;
Silicon;
Stress;
Surface treatment;
Through-silicon vias;
56.
Study of the impact of charge-neutrality level (CNL) of grain boundary interface trap on device variability and P/E cycling endurance of 3D NAND flash memory
机译:
晶界界面陷阱的电荷中性水平(CNL)对3D NAND闪存器件变异性和P / E循环耐久性的影响研究
作者:
Chen Wei-Chen
;
Lue Hang-Ting
;
Hsiao Yi-Hsuan
;
Lin Xi-Wei
;
Huang Jacky
;
Shih Yen-Hao
;
Lu Chih-Yuan
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Correlation;
Data models;
Flash memories;
Logic gates;
Solid modeling;
Thin film transistors;
Three-dimensional displays;
57.
Advanced 1.1um pixel CMOS image sensor with 3D stacked architecture
机译:
具有3D堆叠架构的高级1.1um像素CMOS图像传感器
作者:
Liu J.C.
;
Yaung D.N.
;
Sze J.J.
;
Wang C.C.
;
Hung Gene.
;
Wang C.J.
;
Hsu T.H.
;
Lin R.J.
;
Wang T.J.
;
Wang W.D.
;
Cheng H.Y.
;
Lin J.S.
;
Tsai S.J.
;
Tsai S.T.
;
Chuang C.C.
;
Hsu W.I.
;
Chen S.Y.
;
Huang K.C.
;
Wu W.H.
;
Takahashi S.
;
Tu Y.L.
;
Tsai C.S.
;
Lee R.L.
;
Mo W.P.
;
Shiu F.J.
;
Chao Y.P.
;
Wuu S.G.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Application specific integrated circuits;
Arrays;
Bonding;
CMOS image sensors;
Stress;
TV;
Three-dimensional displays;
CMOS image sensor;
pixel;
stacked;
58.
Device and technology implications of the Internet of Things
机译:
物联网对设备和技术的影响
作者:
Aitken Robert
;
Chandra Vikas
;
Myers James
;
Sandhu Bal
;
Shifren Lucian
;
Yeric Greg
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Authentication;
Batteries;
Logic gates;
Nonvolatile memory;
Random access memory;
Standards;
59.
Lowest variability SOI FinFETs having multiple V
t
by back-biasing
机译:
通过反向偏置具有最低V
t inf>的最低可变性SOI FinFET
作者:
Matsukawa T.
;
Fukuda K.
;
Liu Y.X.
;
Endo K.
;
Tsukada J.
;
Yamauchi H.
;
Ishikawa Y.
;
Ouchi S.
;
Mizubayashi W.
;
Migita S.
;
Morita Y.
;
Ota H.
;
Masahara M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Doping;
FinFETs;
Fluctuations;
Tin;
Tuning;
Very large scale integration;
60.
NbO
2
-based low power and cost effective 1S1R switching for high density cross point ReRAM Application
机译:
基于NbO
2 inf>的低功耗,高性价比的1S1R开关,用于高密度交叉点ReRAM应用
作者:
Wan Gee Kim
;
Hyun Min Lee
;
Beom Yong Kim
;
Kyoo Ho Jung
;
Tae Geun Seong
;
Seonghyun Kim
;
Ha Chang Jung
;
Hyo June Kim
;
Jong Hee Yoo
;
Hyung Dong Lee
;
Soo Gil Kim
;
Suock Chung
;
Kee Jeung Lee
;
Jung Hoon Lee
;
Hyeong Soo Kim
;
Seok Hee Lee
;
Jianhua Yang
;
Yoocharn Jeon
;
Williams R.Stanley
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Arrays;
Electrodes;
Materials;
Resistance;
Resistors;
Switches;
Tin;
61.
Novel Critical Path Aware transistor optimization for mobile SoC device-circuit co-design
机译:
适用于移动SoC器件-电路协同设计的新型关键路径感知晶体管优化
作者:
Mojumder Niladri N.
;
Song S.C.
;
Wang Joseph
;
Lin Ken
;
Rim Ken
;
Xu Jeff
;
Yeap Geoffrey
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Delays;
Digital signal processing;
FinFETs;
Optimization methods;
System-on-chip;
62.
A high-density logic CMOS process compatible non-volatile memory for sub-28nm technologies
机译:
适用于28纳米以下技术的高密度逻辑CMOS工艺兼容非易失性存储器
作者:
Shen Rick Shih-Jye
;
Wu Meng-Yi
;
Chen Hsin-Ming
;
Lu Chris Chun-Hung
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Computer architecture;
IP networks;
Junctions;
Logic gates;
Microprocessors;
Nonvolatile memory;
Transistors;
63.
A double-density dual-mode phase change memory using a novel background storage scheme
机译:
使用新型背景存储方案的双密度双模相变存储器
作者:
Wu J.Y.
;
Lee M.H.
;
Khwa W.S.
;
Lu H.C.
;
Li H.P.
;
Chen Y.Y.
;
BrightSky M.
;
Chen T.S.
;
Wang T.Y.
;
Cheek R.
;
Cheng H.Y.
;
Lai E.K.
;
Zhu Y.
;
Lung H.L.
;
Lam C.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Phase change materials;
Resistance;
Sensors;
Soldering;
Stress;
Thermal stability;
Writing;
64.
3D CMOS-MEMS stacking with TSV-less and face-to-face direct metal bonding
机译:
具有无TSV和面对面直接金属键合的3D CMOS-MEMS堆叠
作者:
Chua S.L.
;
Razzaq A.
;
Wee K.H.
;
Li K.H.
;
Yu H.
;
Tan C.S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Bonding;
CMOS integrated circuits;
Hermetic seals;
Metals;
Micromechanical devices;
Stacking;
Three-dimensional displays;
65.
A 10nm platform technology for low power and high performance application featuring FINFET devices with multi workfunction gate stack on bulk and SOI
机译:
适用于低功耗和高性能应用的10nm平台技术,其特征是FINFET器件具有批量和SOI上的多功能功放栅堆叠
作者:
Seo K.-I.
;
Haran B.
;
Gupta D.
;
Guo D.
;
Standaert T.
;
Xie R.
;
Shang H.
;
Alptekin E.
;
Bae D.-I.
;
Bae G.
;
Boye C.
;
Cai H.
;
Chanemougame D.
;
Chao R.
;
Cheng K.
;
Cho J.
;
Choi K.
;
Hamieh B.
;
Hong J.G.
;
Hook T.
;
Jang L.
;
Jung J.
;
Jung R.
;
Lee D.
;
Lherron B.
;
Kambhampati R.
;
Kim B.
;
Kim H.
;
Kim K.
;
Kim T.S.
;
Ko S.-B.
;
Lie F.L.
;
Liu D.
;
Mallela H.
;
Mclellan E.
;
Mehta S.
;
Montanini P.
;
Mottura M.
;
Nam J.
;
Nam S.
;
Nelson F.
;
Ok I.
;
Park C.
;
Park Y.
;
Paul A.
;
Prindle C.
;
Ramachandran R.
;
Sankarapandian M.
;
Sardesai V.
;
Scholze A.
;
Seo S.-C
;
Shearer J.
;
Southwick R.
;
Sreenivasan R.
;
Stieg S.
;
Strane J.
;
Sun X.
;
Sung M.G.
;
Surisetty C.
;
Tsutsui G.
;
Tripathi N.
;
Vega R.
;
Waskiewicz C.
;
Weybright M.
;
Yeh C.-C.
;
Bu H.
;
Burns S.
;
Canaperi D.
;
Celik M.
;
Colburn M.
;
Jagannathan H.
;
Kanakasabaphthy S.
;
Kleemeier W.
;
Liebmann L.
;
Mcherron D.
;
Oldiges P.
;
Paruchuri V.
;
Spooner T.
;
Stathis J.
;
Divakaruni R.
;
Gow T.
;
Iacoponi J.
;
Jenq J.
;
Sampson R.
;
Khare M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
FinFETs;
Logic gates;
Metals;
Random access memory;
Substrates;
Very large scale integration;
66.
Impact of contact and local interconnect scaling on logic performance
机译:
接触和局部互连缩放对逻辑性能的影响
作者:
Datta S.
;
Pandey R.
;
Agrawal A.
;
Gupta S.K.
;
Arghavani R.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Contact resistance;
Metals;
Resistance;
Schottky barriers;
Silicides;
Silicon;
67.
23 faster program and 40 energy reduction of carbon nanotube non-volatile memory with over 1011 endurance
机译:
碳纳米管非易失性存储器的编程速度提高了23%,能耗降低了40%,使用寿命超过1011
作者:
Ning Sheyang
;
Iwasaki Tomoko Ogura
;
Shimomura Kazuya
;
Johguchi Koh
;
Rosendale Glen
;
Manning Monte
;
Viviani Darlene
;
Rueckes Thomas
;
Takeuchi Ken
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Arrays;
Current measurement;
Logic gates;
Nonvolatile memory;
Proposals;
Pulse measurements;
Resistance;
68.
15nm-W
FIN
high-performance low-defectivity strained-germanium pFinFETs with low temperature STI-last process
机译:
具有低温STI的15nm-W
FIN inf>高性能低缺陷应变锗pFinFET
作者:
Mitard J.
;
Witters L.
;
Loo R.
;
Lee S.H.
;
Sun J.W.
;
Franco J.
;
Ragnarsson L.-A.
;
Brand A.
;
Lu X.
;
Yoshida N.
;
Eneman G.
;
Brunco D.P.
;
Vorderwestner M.
;
Storck P.
;
Milenin A.P.
;
Hikavyy A.
;
Waldron N.
;
Favia P.
;
Vanhaeren D.
;
Vanderheyden A.
;
Olivier R.
;
Mertens H.
;
Arimura H.
;
Sonja S.
;
Vrancken C.
;
Bender H.
;
Eyben P.
;
Barla K.
;
Lee S-G
;
Horiguchi N.
;
Collaert N.
;
Thean A.V-Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Doping;
FinFETs;
Logic gates;
Performance evaluation;
Silicon;
Silicon germanium;
Strain;
69.
A novel metallic complex reaction etching for transition metal and magnetic material by low-temperature and damage-free neutral beam process for non-volatile MRAM device applications
机译:
用于非易失性MRAM器件应用的低温无损中性束工艺用于过渡金属和磁性材料的新型金属复合反应蚀刻
作者:
Gu Xun
;
Kikuchi Yoshiyuki
;
Nozawa Toshihisa
;
Samukawa Seiji
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Etching;
Films;
Kinetic energy;
Metals;
Oxidation;
Silicon;
70.
Role of the Ta scavenger electrode in the excellent switching control and reliability of a scalable low-current operated TiNTa
2
O
5
Ta RRAM device
机译:
Ta清除剂电极在可扩展的小电流TiNTa
2 inf> O
5 inf> Ta RRAM器件的出色开关控制和可靠性中的作用
作者:
Goux L.
;
Fantini A.
;
Redolfi A.
;
Chen C.Y.
;
Shi F.F.
;
Degraeve R.
;
Chen Y.Y.
;
Witters T.
;
Groeseneken G.
;
Jurczak M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Electrodes;
Hafnium compounds;
Materials;
Resistance;
Switches;
Tuning;
Very large scale integration;
71.
Utilizing Sub-5 nm sidewall electrode technology for atomic-scale resistive memory fabrication
机译:
利用亚5纳米侧壁电极技术进行原子级电阻式存储器制造
作者:
Kai-Shin Li
;
Ho ChiaHua
;
Ming-Taou Lee
;
Min-Cheng Chen
;
Cho-Lun Hsu
;
Lu J.M.
;
Lin C.H.
;
Chen C.C.
;
Wu B.W.
;
Hou Y.F.
;
Lin C.Yi.
;
Chen Y.J.
;
Lai T.Y.
;
Li M.Y.
;
Yang I.
;
Wu C.S.
;
Fu-Liang Yang
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Electrodes;
Fabrication;
Hafnium compounds;
Switches;
Thermal stability;
Three-dimensional displays;
Tin;
72.
14nm FDSOI technology for high speed and energy efficient applications
机译:
适用于高速和节能应用的14nm FDSOI技术
作者:
Weber O.
;
Josse E.
;
Andrieu F.
;
Cros A.
;
Richard E.
;
Perreau P.
;
Baylac E.
;
Degors N.
;
Gallon C.
;
Perrin E.
;
Chhun S.
;
Petitprez E.
;
Delmedico S.
;
Simon J.
;
Druais G.
;
Lasserre S.
;
Mazurier J.
;
Guillot N.
;
Bernard E.
;
Bianchini R.
;
Parmigiani L.
;
Gerard X.
;
Pribat C.
;
Gourhant O.
;
Abbate F.
;
Gaumer C.
;
Beugin V.
;
Gouraud P.
;
Maury P.
;
Lagrasta S.
;
Barge D.
;
Loubet N.
;
Beneyton R.
;
Benoit D.
;
Zoll S.
;
Chapon J.-D.
;
Babaud L.
;
Bidaud M.
;
Gregoire M.
;
Monget C.
;
Le-Gratiet B.
;
Brun P.
;
Mellier M.
;
Pofelski A.
;
Clement L.R.
;
Bingert R.
;
Puget S.
;
Kruck J.-F.
;
Hoguet D.
;
Scheer P.
;
Poiroux T.
;
Manceau J.-P.
;
Rafik M.
;
Rideau D.
;
Jaud M.-A.
;
Lacord J.
;
Monsieur F.
;
Grenouillet L.
;
Vinet M.
;
Liu Q.
;
Doris B.
;
Celik M.
;
Fetterolf S.P.
;
Faynot O.
;
Haond M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Delays;
Energy efficiency;
Logic gates;
MOS devices;
Random access memory;
Silicon;
Very large scale integration;
73.
Physics based PBTI model for accelerated estimation of 10 year lifetime
机译:
基于物理的PBTI模型可加快10年寿命的估算
作者:
Zafar S.
;
Kerber A.
;
Muralidhar R.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Charge measurement;
Logic gates;
Numerical models;
Stress;
Time measurement;
74.
Low-loss silicon interposer for three-dimensional system integration with embedded microfluidic cooling
机译:
低损耗硅中介层,用于带有嵌入式微流体冷却的三维系统集成
作者:
Thadesar Paragkumar A.
;
Zheng Li
;
Bakir Muhannad S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Fluidic microsystems;
Heat sinks;
Microfluidics;
Polymers;
Resistance;
Silicon;
Three-dimensional displays;
3D IC and cooling;
TSV;
silicon interposer;
75.
High-Q inductors on locally semi-insulated Si substrate by helium-3 bombardment for RF CMOS integrated circuits
机译:
用于RF CMOS集成电路的氦3轰击在局部半绝缘的Si衬底上的高Q电感器
作者:
Ning Li
;
Okada Kenichi
;
Inoue Takeshi
;
Hirano Takuichi
;
Qinghong Bu
;
Narayanan Aravind Tharayil
;
Siriburanon Teerachot
;
Sakane Hitoshi
;
Matsuzawa Akira
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Conductivity;
Inductors;
Phase noise;
Protons;
Silicon;
Substrates;
Transistors;
CMOS;
Helium-3 Bombardment;
Inductor;
76.
Demonstration of ultimate CMOS based on 3D stacked InGaAs-OI/SGOI wire channel MOSFETs with independent back gate
机译:
基于具有独立背栅的3D堆叠InGaAs-OI / SGOI线沟道MOSFET的最终CMOS演示
作者:
Irisawa T.
;
Ikeda K.
;
Moriyama Y.
;
Oda M.
;
Mieda E.
;
Maeda T.
;
Tezuka T.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS integrated circuits;
Indium gallium arsenide;
Inverters;
Logic gates;
MOSFET;
Three-dimensional displays;
Wires;
77.
Investigation of In
x
Ga
1#x2212;x
As FinFET architecture with varying indium (x) concentration and quantum confinement
机译:
In(x)浓度和量子约束变化的In
x inf> Ga
1-x inf> As FinFET体系结构的研究
作者:
Arun VT
;
Agrawal Nidhi
;
Lavallee Guy
;
Cantoro Mirco
;
Kim Sang-Su
;
Kim Dong-Won
;
Datta Suman
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
FinFETs;
Indium;
Indium phosphide;
Layout;
Resistance;
Silicon;
Very large scale integration;
78.
Cost and power/performance optimized 20nm SoC technology for advanced mobile devices
机译:
成本和功率/性能优化的20nm SoC技术,适用于高级移动设备
作者:
Nallapati G.
;
Zhu J.
;
Wang J.
;
Sheu J.Y.
;
Cheng K.L.
;
Gan C.
;
Yang D.
;
Cai M.
;
Cheng J.
;
Ge L.
;
Chen Y.
;
Bucki R.
;
Bowers B.
;
Vang F.
;
Chen X.
;
Kwon O.
;
Yoon S.
;
Wu C.C.
;
Chidambaram PR.
;
Cao M.
;
Fischer J.
;
Terzioglu E.
;
Mii Y.J.
;
Yeap G.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Computer architecture;
Layout;
Logic gates;
Metals;
Mobile communication;
Optimization;
Performance evaluation;
79.
An InGaAs/InP quantum well finfet using the replacement fin process integrated in an RMG flow on 300mm Si substrates
机译:
InGaAs / InP量子阱finfet,它使用替换鳍片工艺集成在300mm Si基板上的RMG流中
作者:
Waldron N.
;
Merckling C.
;
Guo W.
;
Ong P.
;
Teugels L.
;
Ansar S.
;
Tsvetanova D.
;
Sebaai F.
;
van Dorp D.H.
;
Milenin A.
;
Lin D.
;
Nyns L.
;
Mitard J.
;
Pourghaderi A.
;
Douhard B.
;
Richard O.
;
Bender H.
;
Boccardi G.
;
Caymax M.
;
Heyns M.
;
Vandervorst W.
;
Barla K.
;
Collaert N.
;
Thean A.V-Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Abstracts;
FinFETs;
Indium gallium arsenide;
Indium phosphide;
Logic gates;
Silicon;
Substrates;
80.
1T-1R pillar-type topological-switching random access memory (TRAM) and data retention of GeTe/Sb
2
Te
3
super-lattice films
机译:
1T-1R柱型拓扑转换随机存取存储器(TRAM)和GeTe / Sb
2 inf> Te
3 inf>超晶格薄膜的数据保留
作者:
Tai M.
;
Ohyanagi T.
;
Kinoshita M.
;
Morikawa T.
;
Akita K.
;
Kato S.
;
Shirakawa H.
;
Araidai M.
;
Shiraishi K.
;
Takaura N.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Cleaning;
Films;
Phase change materials;
Random access memory;
Resistance;
Resistors;
Temperature measurement;
81.
Germanium-Tin on Silicon avalanche photodiode for short-wave infrared imaging
机译:
硅雪崩光电二极管上的锗锡用于短波红外成像
作者:
Yuan Dong
;
Wei Wang
;
Xin Xu
;
Xiao Gong
;
Dian Lei
;
Qian Zhou
;
Zhe Xu
;
Soon-Fatt Yoon
;
Gengchiau Liang
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Absorption;
Imaging;
PIN photodiodes;
Silicon;
Tin;
82.
Applying a redundancy scheme to address post-assembly yield loss in 3D FPGAs
机译:
应用冗余方案解决3D FPGA中的组装后成品率损失
作者:
Camarota Rafael C
;
Wong Jennifer
;
Liu Henley
;
McGuire Pat
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Bandwidth;
Fabrics;
Field programmable gate arrays;
Maintenance engineering;
Metals;
Redundancy;
Three-dimensional displays;
83.
Towards high-speed, write-disturb tolerant 3D vertical RRAM arrays
机译:
迈向高速,耐写扰的3D垂直RRAM阵列
作者:
Chen Hong-Yu
;
Bin Gao
;
Li Haitong
;
Rui Liu
;
Peng Huang
;
Zhe Chen
;
Bing Chen
;
Feifei Zhang
;
Liang Zhao
;
Zizhen Jiang
;
Lifeng Liu
;
Xiaoyan Liu
;
Jinfeng Kang
;
Yu Shimeng
;
Nishi Yoshio
;
Wong H.-S.Philip
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Analytical models;
Face;
Pulse measurements;
SPICE;
Switches;
Three-dimensional displays;
Voltage measurement;
84.
A 1TnR array architecture using a one-dimensional selection device
机译:
使用一维选择设备的1TnR阵列架构
作者:
Chiyui Ahn
;
Zizhen Jiang
;
Chi-Shuen Lee
;
Hong-Yu Chen
;
Liang Jiale
;
Liyanage Luckshitha S.
;
Wong H.-S.Philip
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Arrays;
CNTFETs;
Logic gates;
Phase change materials;
Resistance;
Very large scale integration;
85.
Further understandings on random telegraph signal noise through comprehensive studies on large time constant variation and its strong correlations to thermal activation energies
机译:
通过对大时间常数变化及其与热活化能的强相关性的综合研究,进一步了解随机电报信号噪声
作者:
Chen Jiezhi
;
Higashi Yusuke
;
Kato Koichi
;
Mitani Yuichiro
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Charge carrier processes;
Correlation;
Doping;
Noise;
Photonic band gap;
Silicon;
Substrates;
86.
High performance InGaAs-on-insulator MOSFETs on Si by novel direct wafer bonding technology applicable to large wafer size Si
机译:
通过新颖的直接晶圆键合技术在Si上使用高性能InGaAs绝缘体上MOSFET,适用于大晶圆尺寸的Si
作者:
Kim S.H.
;
Ikku Y.
;
Yokoyama M.
;
Nakane R.
;
Li J.
;
Kao Y.C.
;
Takenaka M.
;
Takagi S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Epitaxial growth;
Indium gallium arsenide;
Indium phosphide;
MOSFET;
Metals;
Silicon;
Substrates;
87.
Scaling to 50-nm C-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide FET with surrounded channel structure and its application for less-than-5-nsec writing speed memory
机译:
缩放到具有环绕沟道结构的50 nm C轴对准晶体In-Ga-Zn氧化物FET及其在小于5纳秒写入速度存储器中的应用
作者:
Kobayashi Y.
;
Matsubayashi D.
;
Nagatsuka S.
;
Yakubo Y.
;
Atsumi T.
;
Shionoiri Y.
;
Hondo S.
;
Yamamoto T.
;
Okazaki Y.
;
Nagai M.
;
Sasagawa S.
;
Ito D.
;
Hata Y.
;
Hamada T.
;
Arasawa R.
;
Hanaoka K.
;
Sakakura M.
;
Suzawa H.
;
Yamamoto Y.
;
Yamazaki S.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Electrodes;
Field effect transistors;
Films;
Logic gates;
Silicon;
Substrates;
Writing;
88.
Tailoring switching and endurance / retention reliability characteristics of HfO
2
/ Hf RRAM with Ti, Al, Si dopants
机译:
掺Ti,Al,Si的HfO
2 inf> / Hf RRAM的量身定制和切换/耐久性/保持可靠性特征
作者:
Chen Y.Y.
;
Roelofs R.
;
Redolfi A.
;
Degraeve R.
;
Crotti D.
;
Fantini A.
;
Clima S.
;
Govoreanu B.
;
Komura M.
;
Goux L.
;
Zhang L.
;
Belmonte A.
;
Xie Q.
;
Maes J.
;
Pourtois G.
;
Jurczak M.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Doping;
Hafnium oxide;
Oxygen;
Silicon;
Switches;
89.
Enhanced drivability of high-V
bd
dual-oxide-based complementary BEOL-FETs for compact on-chip pre-driver applications
机译:
高V
bd inf>基于双氧化物的互补BEOL-FET的可驱动性增强,适用于紧凑的片上预驱动器应用
作者:
Sunamura H.
;
Inoue N.
;
Furutake N.
;
Saito S.
;
Narihiro M.
;
Hane M.
;
Hayashi Y.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Brushless motors;
CMOS integrated circuits;
Inverters;
Logic gates;
MOSFET;
SRAM cells;
Very large scale integration;
BEOL-FET;
CMOS;
IGZO;
SnO;
driver;
inverter;
90.
Laser thermal anneal of polysilicon channel to boost 3D memory performance
机译:
多晶硅通道的激光热退火可提高3D存储性能
作者:
Lisoni J.G.
;
Arreghini A.
;
Congedo G.
;
Toledano-Luque M.
;
Toque-Tresonne I.
;
Huet K.
;
Capogreco E.
;
Liu L.
;
Tan C.-L.
;
Degraeve R.
;
Van den bosch G.
;
Van Houdt J.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Crystallization;
Logic gates;
Silicon;
Substrates;
Three-dimensional displays;
Very large scale integration;
91.
Surface-controlled ultrathin (2 nm) Poly-Si channel junctionless FET towards 3D NAND flash memory applications
机译:
适用于3D NAND闪存应用的表面控制超薄(2 nm)多晶硅通道无结FET
作者:
Park Jong Kyung
;
Kim Seung-Yoon
;
Lee Ki-Hong
;
Pyi Seung Ho
;
Lee Seok-Hee
;
Cho Byung Jin
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Electric fields;
Hafnium;
Logic gates;
Oxidation;
Performance evaluation;
Silicon;
Three-dimensional displays;
92.
Customer value creation in the information explosion era
机译:
信息爆炸时代的客户价值创造
作者:
Shimada Keiichiro
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Data processing;
Industries;
Market research;
Motion pictures;
Smart phones;
TV;
Technological innovation;
93.
In
0.53
Ga
0.47
As quantum-well MOSFET with source/drain regrowth for low power logic applications
机译:
In
0.53 inf> Ga
0.47 inf>作为具有低功耗逻辑应用源/漏再生长的量子阱MOSFET
作者:
Zhou X.
;
Alian A.
;
Mols Y.
;
Rooyackers R.
;
Eneman G.
;
Lin D.
;
Ivanov T.
;
Pourghaderi A.
;
Collaert N.
;
Thean A.
会议名称:
《》
|
2014年
关键词:
Benchmark testing;
Dielectrics;
Indium gallium arsenide;
Indium phosphide;
Logic gates;
MOSFET;
Metals;
94.
Ultra-low voltage (0.1V) operation of V
th
self-adjusting MOSFET and SRAM cell
机译:
第V
inf>个自调节MOSFET和SRAM单元的超低压(0.1V)操作
作者:
Ueda Akitsugu
;
Jung Seung-Min
;
Mizutani Tomoko
;
Kumar Anil
;
Saraya Takuya
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Circuit stability;
MOSFET;
SRAM cells;
Very large scale integration;
Voltage measurement;
95.
A novel capacitive-coupled floating gate antenna protection design and its application to prevent in-process charging effects for 3D NAND flash memory
机译:
一种新颖的电容耦合浮栅天线保护设计及其在防止3D NAND闪存的过程中充电效应中的应用
作者:
Lue Hang-Ting
;
Ten-Hao Yeh
;
Kuo-Ping Chang
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Yen-Hao Shih
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Antennas;
CMOS integrated circuits;
Discharges (electric);
Flash memories;
Logic gates;
MOS devices;
Three-dimensional displays;
96.
A high-performance low-cost chip-on-Wafer package with sub-#x03BC;m pitch Cu RDL
机译:
高性能,低成本,晶圆级晶片封装,亚微米间距Cu RDL
作者:
Liao W.S.
;
Chiang C.C.
;
Wu W.M.
;
Fan C.H.
;
Chiu S.L.
;
Chiu C.C.
;
Chen T.Y.
;
Hsieh C.C.
;
Chen H.Y.
;
Lo H.Y.
;
Huang L.C.
;
Wu T.J.
;
Chiou W.C.
;
Hou S.Y.
;
Jeng S.P.
;
Doug Yu
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
High-temperature superconductors;
Packaging;
Reliability;
Silicon;
Substrates;
Three-dimensional displays;
Through-silicon vias;
#x03BC;
HAST;
3D IC;
CoWoS#x2122;
Substrate-less CoW;
HTS;
Shock test;
TC;
TCoB;
Wafer Level Package (WLP);
97.
Direct measurement of the dynamic variability of 0.120#x00B5;m
2
SRAM cells in 28nm FD-SOI technology
机译:
在28nm FD-SOI技术中直接测量0.120μm
2 sup> SRAM单元的动态变化
作者:
Husseini J.El
;
Garros X.
;
Subirats A.
;
Makosiej A.
;
Weber O.
;
Thomas O.
;
Huard V.
;
Federspiel X.
;
Reimbold G.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Analytical models;
Data models;
SRAM cells;
Stress;
Stress measurement;
Transistors;
98.
Sub-100 nm regrown S/D Gate-Last In
0.7
Ga
0.3
As QW MOSFETs with #x03BC;
n,eff
#x003E; 5,500 cm
2
/V-s
机译:
μ
n,eff inf 5,500 cm
的亚100 nm重生长的S / D栅极最后In
0.7 inf> Ga
0.3 inf> As QW MOSFET 2 sup> /视
作者:
Shin C.-S.
;
Park W.-K.
;
Shin SH.
;
Cho YD.
;
Ko DH.
;
Kim T.-W.
;
Koh D.H.
;
Kwon HM.
;
Hill R.J.W.
;
Kirsch P.
;
Maszara W.
;
Kim D.-H.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Aluminum oxide;
Hafnium compounds;
Indium gallium arsenide;
Logic gates;
MOCVD;
MOSFET;
Surface treatment;
99.
Embedded STT-MRAM for energy-efficient and cost-effective mobile systems
机译:
嵌入式STT-MRAM,用于节能高效的移动系统
作者:
Kang Seung H.
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
2014年
关键词:
Energy efficiency;
Magnetic tunneling;
Mobile communication;
Nonvolatile memory;
Reliability;
Switches;
System-on-chip;
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