法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20200120
实质审查的生效
2020-06-05
公开
公开
机译: 形成场效应的方法-功率半导体器件及领域-带有集成多晶硅二极管的半导体器件
机译: 形成多晶硅图形的方法,具有多晶硅图形的二极管,具有多晶硅图形的多层交叉点电阻存储器件以及制造该二极管和存储器件的方法
机译: 形成多晶硅图形的方法,具有多晶硅图形的二极管,具有多晶硅图形的多层交叉点电阻存储器件以及制造该二极管和存储器件的方法