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集成多晶硅电阻及二极管的场效应充电式半导体启动器件

摘要

一种集成多晶硅电阻及二极管的场效应管充电式半导体启动器件,包括场效应管、多晶硅电阻、电容、反馈控制模块和电子开关,其中,场效应管包括半导体衬底,位于衬底之上的轻掺杂外延层,以及位于轻掺杂外延层之内的元胞结构、终端结构和隔离结构。本发明半导体启动器件通过场效应管的栅极控制其通、断,仅需较小的驱动电流就能降低电阻功耗和发热量;并且电阻通过多晶硅二极管连接到启动电路的输入端,可有效防止场效应管由于输入电压的波动而误开启,造成不必要的功耗。当输出电压到达预设值后,反馈控制模块控制电子开关导通,使场效应管的栅极接地,场效应管关断,停止充电,只有很小的漏电电流,达到降低损耗、提高电源效率的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN111244087A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010066926.6

  • 发明设计人 胡浩;朱斌;陈荣昕;

    申请日2020-01-20

  • 分类号

  • 代理机构电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-17 10:08:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20200120

    实质审查的生效

  • 2020-06-05

    公开

    公开

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