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用于在半导体主体中形成绝缘层的方法和晶体管器件

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公开了一种方法和一种晶体管器件。所述方法包括：在半导体主体(100)的边缘区域(120)中的第一表面(101)中形成沟槽(130)；在所述沟槽(130)中并且在所述半导体主体(100)的第一表面(101)上形成绝缘层(20)；以及使所述绝缘层(20)平面化，从而保留填充所述沟槽(130)的沟槽绝缘层(21)，其中，形成所述绝缘层包括热氧化工艺。

著录项

公开/公告号CN110993557A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-10

原文格式PDF
申请/专利权人英飞凌科技奥地利有限公司;
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申请/专利号CN201910933727.8
发明设计人 H·韦伯;C·法赫曼;F·赫勒;W·凯因德尔;M·罗赫尔;
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申请日2019-09-29
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人邬少俊
地址奥地利菲拉赫
入库时间 2023-12-17 09:46:46

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2020-04-10

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