n型有機トランジスタにおける絶縁層/半導体層界面,及び半導体層/電極界面に関する検討

摘要

フラーレン誘導体を半導体層として持つn型有機トランジスタにおけるソース/ドレイン電極構造とポリマー絶縁膜が及ぼす影響について検討した.ソース/ドレイン電極構造としてCsF(2nm)/Ag(30nm)を用いた時,有機トランジスタの閾値電圧が大幅に低下することが分かった.CsFとAgの共存層の形成が,効率的な電子注入を引き起こしたものと考えられる.ポリマー絶縁膜として,側鎖に異なる割合でフェノール基を含hだシロキサンポリマー系材料を検討した.シロキサンポリマーの側鎖のフェノール基の割合を減少させることによって有機トランジスタ中のキャリア移動度が向上することが分かった。側鎖のフェノール基の割合を減少させたシロキサンポリマーを絶縁膜に用いたOFETから移動度は0.024cm^2V^<-1>s^<-1>が得られ、側鎖全てがフェノール基で構成されたシロキサンポリマーを用いた時に比べ2倍の移動度を得た。