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金属/有机半导体界面偶极层的研究

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摘要

利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出了合理的解释.

著录项

来源
《原子与分子物理学报》 |2006年第6期|1061-1064|共4页
作者
潘艳芝; 李宏建; 周伟昌; 戴小玉;
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作者单位

湖南大学应用物理系,长沙,410082;

湖南大学应用物理系,长沙,410082;

中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083;

湖南大学应用物理系,长沙,410082;

湖南大学应用物理系,长沙,410082;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
金属/有机半导体界面; 偶极能; 功函数;

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