一种用于制备PVT法AlN籽晶的化学气相沉积外延装置及方法

摘要

一种用于制备PVT法AlN籽晶的化学气相沉积外延装置及方法，属于晶体生长领域。本发明包括进气口、上旋转电机、上碳化钽导流台、壳体、线圈、固定支架、升降块限位孔、升降块、可伸缩波纹管、下碳化钽导流台、旋转升降装置、旋转杆和多个生长装置。本发明的研发目的是为了解决了氮化铝晶体生长过程中，AlN晶体扩径困难,工艺复杂产率低的问题。