集成ESD防护的Trench VDMOS器件及制造方法

摘要

本发明提供一种集成ESD防护的Trench VDMOS器件及制造方法，包括Trench VDMOS结构和ESD保护结构；Trench VDMOS结构包括元胞区和终端保护区，终端保护区采用浮空场限环，包括分压环和截止环，ESD保护结构包括若干个齐纳二极管单元，ESD保护结构接在Trench VDMOS结构的栅极金属和源极金属两端；本发明所述Trench VDMOS根据耐压要求可以调整分压环数量以及分压环间距，且本发明所述ESD保护结构位于硬掩膜SiO2上与Trench VDMOS单元隔离，并且与Trench VDMOS制造工艺兼容。在不影响器件性能的前提下，减少有源区光刻版，降低制造成本。