一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法及生长结构

摘要

本发明公开了一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，包括以下步骤：提供二维材料基板；在二维材料基板表面生长AlN柱，形成位于二维材料基板上的AlN柱层；在AlN柱层上生长GaN厚膜；通过机械剥离的方式去除二维材料基板；通过研磨抛光处理的方法去除AlN柱层，并获得平整的GaN厚膜，该GaN厚膜即为自支撑GaN衬底。该方法可以利用在二维材料基板上进行外延生长时较低的成核密度，先在二维材料基板上高温生长AlN柱，再利用GaN侧向合并能力强的特点，以降低缺陷密度，在AlN柱上再生长GaN厚膜，以提高最终获得的自支撑氮化物衬底的晶体质量。