一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法及生长结构

摘要

本发明公开了一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在该基板上形成具有极性的二维材料层；在二维材料层上形成一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构；在单层的石墨烯层的表面生长氮化物厚膜；通过机械剥离的方式去除基板；通过研磨抛光处理的方式去除二维材料层和石墨烯层，并获得平整的氮化物厚膜，该平整的氮化物厚膜即为自支撑氮化物衬底。该方法可以实现在无缺陷的石墨烯表面生长氮化物厚膜，可以有效降低界面处缺陷，从而提高自支撑氮化物衬底的晶体质量。