一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法

摘要

本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面，一方面通过a‑Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合，另一方面利用a‑Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配，彻底屏蔽失配位错来源，并通过疏松结构的a‑Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断，以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。