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公开/公告号CN110813891A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-21
原文格式PDF
申请/专利权人 河北工业大学;
申请/专利号CN201911116905.4
发明设计人 檀柏梅;杨柳;殷达;何彦刚;王如;孙晓琴;张师浩;
申请日2019-11-15
分类号
代理机构天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人赵凤英
地址 300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
入库时间 2023-12-17 06:13:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-17
实质审查的生效 IPC(主分类):B08B3/08 申请日:20191115
实质审查的生效
2020-02-21
公开
机译: 用于CMP抛光液的清洗液,使用该清洗液的清洗方法以及使用该清洗液的半导体基板的制造方法
机译: CMP后的清洗液,清洗方法及半导体晶片的制造方法
机译: 用于后抛光工艺的清洗液以及使用该清洗液的半导体器件的清洗方法
机译:柠檬酸基清洗液对铜后CMP清洗过程中颗粒附着和去除的影响
机译:各种清洗液和刷子洗涤器的运动学对后铜CMP清洗工艺摩擦特性的影响
机译:开发用于a-SiC和锰CMP的配方以及CMP后的钴清洗。
机译:新颖的治疗方法(新药物/干预药物;新情况下已确立的药物/方法):羟钴胺素与珠宝清洗液一起治疗急性氰化物中毒
机译:不同清洗液和刷洗机运动学对后铜Cmp清洗过程摩擦性能的影响
机译:用于在线测定清洗液中过氧化氢的折射率法