提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法

摘要

本发明提供了一种提高浅沟道隔离结构窄宽度效应的方法，包括：提供包含有第一材料层与第二材料层的半导体衬底；依次形成氧化层与氮化层；进行第一次刻蚀，以在所述氮化层、氧化层、第一材料层和第二材料层上形成第一浅沟道隔离凹槽；在所述第一浅沟道隔离凹槽中，对所述第二材料层进行第二次刻蚀，形成第二浅沟道隔离凹槽；填充隔离材料；去除所述氮化层，形成浅沟道隔离结构。本发明通过对第二材料层进行第二次刻蚀，在保证源/漏区域有效面积不变的情况下，扩大浅沟道隔离结构底部的宽度，增加了浅沟道隔离结构的隔离效果，在一定程度上提高了半导体器件的阈值电压，从而提高半导体器件的性能。