机译:使用浅沟槽隔离技术的p沟道金属氧化物半导体表面沟道晶体管中的异常窄宽度效应
Nanyang Technological University, School of Electrical and Electronic Engineering Division of Microelectronics, Block S2.1, Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore;
机译:具有浅沟槽隔离的N沟道金属氧化物半导体晶体管中辐射引起的截止态泄漏电流的模型
机译:利用浅沟槽隔离作为漂移区的自对准硅化物阻挡掩模来制造高性能n沟道横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:浅沟槽隔离机械应力对n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的温度依赖性
机译:使用浅沟槽隔离的NMOS和PMOS表面通道晶体管的异常窄宽度效应
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:P沟道Ingan / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管基于极化诱导的二维空气气体
机译:可生存的p沟道金属氧化物半导体(pmOs)计算机设计