一种高紫外透光率的P型欧姆接触层制备方法

摘要

本发明是一种新的紫外LED芯片P型欧姆接触层的制备方法，该方法根据增透膜原理，同时考虑到ITO对紫外的吸收以及ITO膜的方阻，通过优化ITO膜层的蒸镀参数并对ITO膜进行图形化，从而提高紫外LED芯片的外量子效率，进而提高LED芯片亮度；并结合对氮气保护下退火工艺的优化，使ITO膜的致密性以及膜质量更好，有利于ITO膜与氮化镓的接触，形成图形化的P型欧姆接触层，降低芯片电压。