p型SiC欧姆接触的研究进展

摘要

欧姆接触是碳化硅(Silicon Carbide, SiC)新一代电力电子器件研究中的技术难点之一。除了金属选择外,相对于n型掺杂,SiC材料中p型杂质的离化能比n型杂质的离化能高,优质的p型SiC欧姆接触更难于形成。该文对近十几年来极具代表性的传统Al基金属体系和非传统Al基金属体系在p型SiC材料上形成欧姆接触的研究进行了总结,并对其发展前景进行了展望。