法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-22
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20140917 申请日:20111221
发明专利申请公布后的驳回
2014-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20111221
实质审查的生效
2014-09-17
公开
公开
机译: 用于光半导体器件的引线框架,用于树脂涂覆的光半导体器件的引线框架,与该引线框架的主体多面,与具有引线框架的树脂的主体多面,光半导体器件,与该光半导体器件的主体多面
机译: 用于半导体开关装置的金属氧化物半导体晶体管器件具有台面面积,该台面面积的宽度是p-n结的高度的区域宽度和特定结构深度的平均值,并且具有主体区域接触孔
机译: 形成高度取向的硅膜的方法,制造三维半导体器件的方法和三维半导体器件