TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置及其分析方法

摘要

本发明公开了TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置及其分析方法，该装置由显微镜、反光盒和探针系统组成；反光盒由外壳、外壳中两个互成90°的反光镜和外壳顶部开口处的透明玻璃组成，反光镜与外壳底面夹角为45°；探针系统包括探针、探针臂和探针座，探针通过探针臂与探针座连接，探针上连接导线，导线与测试装置或电源连接。该装置利用反光镜改变光线方向，不需背面镜头，就可以用于分析MEMS芯片的失效机理，结构简单，效果好。本发明的分析方法为：将待分析MEMS芯片放置在透明玻璃上，在压焊块上扎上探针；通过导线向MEMS结构输入激励电压；通过显微镜观察MEMS结构的响应判断MEMS器件的失效机理。该方法操作简单，能够快速、准确地对待分析MEMS芯片进行失效分析。

说明书

技术领域

本发明属于MEMS芯片分析领域，具体是涉及到一种用于TSV圆片级封装MEMS芯 片的失效分析装置，本发明还涉及利用这种分析装置进行MEMS芯片失效分析的方法。

背景技术

MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)是微机电系统的缩写，MEMS制造技术利 用微细加工技术，特别是半导体圆片制造技术，制造出各种微型机械结构，结合专用控制 集成电路(ASIC)，组成智能化的微传感器、微执行器等MEMS元器件。MEMS元器件具 有体积小、成本低、可靠性高、抗恶劣环境能力强、功耗低、智能化程度高、易校准、易 集成的优点，被广泛应用于消费类电子产品(如手机、平板电脑、玩具、数码相机、游戏 机、空中鼠标、遥控器、GPS等)、国防工业(如智能炸弹、导弹、航空航天、无人飞机 等)以及工业类产品(如汽车、机器人、智能交通、工业自动化、环境监测、平台稳定控 制、现代化农业、安全监控等)，MEMS元器件逐渐成为物联网技术的基石。

随着便携式电子产品，如手机、平板电脑、可穿戴装置等市场的迅猛增长，消费类电 子产品已成为MEMS元器件的最大市场，几乎每个便携式电子产品中都会用到多个MEMS 元器件，以智能手机为例，它用到了陀螺仪、加速度计、高度计、麦克风、电子指南针、 调谐天线、滤波器等。为达到便携式电子产品对MEMS元器件体积小、性能高、功耗低、 价格便宜的要求，MEMS元器件需要在圆片制造过程中先进行圆片级封装，保护可动、易 碎的微机械结构，然后将圆片切割成芯片，再通过普通塑料封装方法进行封装。

MEMS结构通常由单晶硅或多晶硅材料构成，硅材料的刚性和抗疲劳性能很好，但比 较脆，受到外力冲击时易发生碎裂，引起器件失效；MEMS芯片加工过程中的工艺缺陷， 如残留物、吸气剂等淀积材料的剥离、密封材料外溢、键合强度不够等，也会引起器件失 效；另外，由于设计缺陷引起的在芯片加工或使用过程中的MEMS结构吸合，也是最常见 的失效机理。在分析这些失效机理时，必须给MEMS结构提供一个激励信号(直流电压或 交流电压)，然后测试MEMS结构的漏电值、电容值、共振频率、吸合电压、运动幅度等 参数，判断MEMS结构的失效原因。矩形平板电容的静电力与施加的电压的平方成正比， 静电力公式如下：

$F=\frac{\mathrm{ϵab}{U}^2}{2d^2}(1+\frac{d}{\mathrm{\pi a}+d}),$

ε为介电常数，a为电容长度，b为电容宽度，d为电容间距，U为施加的电压。

普通的圆片级封装的MEMS芯片如图1所示，MEMS芯片1的盖板17、MEMS层11 和底板16围成一个密封腔10，为MEMS结构11a提供一个不受外部干扰、可自由活动的 空间。MEMS层11与盖板17间通过Si-Si键合或Si-SiO₂键合工艺结合在一起，MEMS层 11与底板16通过金属密封层12结合在一起；同时，MEMS结构11a的电信号由通孔18 传送到夹在第一绝缘层15和第二绝缘层13之间的导电金属层14上，再由导电金属层14 从密封腔10中引出；第二绝缘层13在密封腔10外面的部分上有一个用于封装时打线用 的压焊窗19。该MEMS芯片1的一个显著特点就是压焊窗19在MEMS结构11a的侧面， 除去盖板17后，MEMS结构11a和压焊窗19同时露出来，这样，在失效分析时，将探针 扎在压焊窗19中的金属上，通过显微镜可以直接观察MEMS结构11a的响应情况，从而 进行失效分析。

随着MEMS元器件市场的竞争越来越激烈，以及客户对MEMS元器件要求越来越高， 为进一步缩小MEMS芯片的体积，TSV(Through Silicon Via，硅通孔)圆片级封装的MEMS 芯片成为必然趋势。图2是TSV圆片级封装的MEMS芯片2的示意图，由盖板26、MEMS层 21和底板27围成一个密封腔20，为MEMS结构21a提供一个不受外部干扰、可自由活动的空 间。MEMS层21可根据功能分为MEMS结构21a和MEMS密封区21b，MEMS层21与盖板26 间通过Si-Si键合工艺结合在一起，它们之间是电导通的；作为盖板一部分的TSV导电柱24 也同时与MEMS结构21a键合在一起，它们之间也是电导通的，MEMS结构21a的电信号可 以通过TSV导电柱24从密封腔20中引出，TSV导电柱24与盖板26的其他部分由TSV绝缘层 23电隔离；盖板26上有绝缘层25，绝缘层25上开有通孔28，压焊块29的材料是金属，该金 属在形成压焊块29的同时也填满了通孔28，压焊块29通过通孔28与TSV导电柱24相连，这 样，MEMS结构21a的信号通过TSV导电柱24和通孔28引出到压焊块29上。MEMS层21的密 封区21b与底板27通过密封层22结合在一起，密封层22的材料可以是SiO₂，也可以是金属。 这种TSV圆片级封装的MEMS芯片的压焊块29位于盖板26上方，除去盖板26后，压焊块29 和MEMS结构21a分布在盖板26的上下两侧，这样，在失效分析时，也无法利用除去盖板、 通过显微镜直接观察MEMS结构21a的响应情况，所以对于TSV圆片级封装的MEMS芯片， 如何进行失效分析就成为了目前的难题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种TSV圆片级封装MEMS芯 片的失效分析装置，可以简便地对TSV圆片级封装的MEMS芯片进行失效分析。

本发明要解决的另一个技术问题是提供这种TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析 方法，该方法利用上述失效分析装置，能够快速、简便、准确地对TSV圆片级封装的MEMS 芯片进行失效分析。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装 置，由显微镜、反光盒和探针系统组成；

显微镜自带光源，带有可活动的载物台，用于观察待分析MEMS芯片的MEMS结构 及其运动；

反光盒由顶部开口的外壳、反光镜和透明玻璃组成，反光镜包括两个互成90°角的左 反光镜和右反光镜，左反光镜和右反光镜都是镜面朝上地安装于外壳中，左反光镜和右反 光镜与外壳底面夹角都为45°，透明玻璃覆盖在外壳顶部开口处，透明玻璃与外壳底面相 平行，待分析MEMS芯片可以放置在透明玻璃上面，反光镜将显微镜光源发出的垂直于透 明玻璃的入射光经过两个90°的反射，照射到待分析MEMS芯片的MEMS结构上，再将 MEMS结构反射出的反射光经两个90°的反射，返回到显微镜的物镜中；

探针系统包括探针、探针臂和可移动的探针座，探针通过探针臂与探针座连接，探针 上连接导线，导线与测试装置或电源连接，用于向MEMS结构输入激励信号或检测MEMS 结构的输出信号，探针座置于显微镜的载物台上，在探针扎在待分析MEMS芯片的压焊块 上后，待分析MEMS芯片相对于显微镜物镜的位置还可自由调节；

反光盒置于显微镜的载物台上，反光盒外壳的底面与载物台平行，显微镜的物镜位于 反光盒上方。

本发明的TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置利用普通显微镜、探针台等实 验室常用设备，只需特制一个反光盒，利用反光盒内反光镜改变光线的方向，不需要背面 显微镜镜头，就可以观察到MEMS结构的运动情况，分析MEMS芯片的失效机理，结构 简单，成本低，效果好。

所述的反光盒还包括一对定位块，定位块位于透明玻璃表面上，用于将待分析MEMS 芯片限定在固定位置。

所述的透明玻璃上表面上放置待分析MEMS芯片的位置处有凹腔，当待分析MEMS 芯片的密封层随底板一起除去，此时若将待分析MEMS芯片放在透明玻璃上，MEMS结 构就失去了自由运动的空间，而透明玻璃上的凹腔就可为MEMS结构提供一个自由运动的 空间，拓宽了待分析MEMS芯片的范围，使本发明的分析装置应用更加广泛。

所述透明玻璃上有光线通过的部分开有透光孔，为入射光线和反射光线提供无玻璃通 道，可以减少透明玻璃的表面反光，缩小光亮损失和图像劣化程度，使分析结果更加准确、 更加接近实际情况。

所述透明玻璃上相对于待分析MEMS芯片的位置处有台阶，待分析MEMS芯片的 MEMS密封区承载在台阶上，在为MEMS结构提供自由运动空间的同时，也为反射光线 提供无玻璃的通道。

所述探针系统还包括探针台，探针台与显微镜的载物台分离，所述探针座置于显微镜 载物台上，也可置于探针台上，通过探针座上下、左右、前后调节探针的位置，将探针扎 在待分析MEMS芯片的压焊块上。

为解决本发明的另一个技术问题，本发明提供一种TSV圆片级封装MEMS芯片的失 效分析方法，具体步骤为：

(1)通过酸液浸泡、加热或机械力等方法除去TSV圆片级封装的MEMS芯片的底板， 露出MEMS结构，得到待分析MEMS芯片；

(2)显微镜使用小倍率物镜，打开显微镜光源，调节显微镜焦距，将待分析MEMS 芯片按压焊块朝上、MEMS结构朝下的方式固定在物镜视场边缘，从显微镜的观察下将探 针扎入待分析MEMS芯片的压焊块上；

(3)将小倍率物镜切换为大倍率物镜，调节显微镜焦距，使入射光照射在待分析 MEMS芯片的MEMS结构上，同时MEMS结构反射的反射光返回物镜，此时，从显微镜 中仅可以看到待分析MEMS芯片的MEMS结构，通过探针上的导线向MEMS结构输入激 励电压，从显微镜中观察或记录MEMS结构的运动情况来分析MEMS器件的失效机理。

本发明的失效分析方法只需要将待分析MEMS芯片按照压焊块朝上，MEMS结构朝 下的方式放置在反光盒的固定位置上，在压焊块上扎上探针，输入激励信号，利用反光镜 反光机理就可通过显微镜观察MEMS结构的响应情况，进而分析芯片失效机理，简单、易 操作，能够快速、简便、准确地对TSV圆片级封装的MEMS芯片进行失效分析。

附图说明

图1是普通圆片级封装MEMS芯片的结构示意图。

图2是TSV圆片级封装MEMS芯片的结构示意图。

图3是本发明实施例一中显微镜使用小倍率物镜时的分析装置的结构示意图。

图4是本发明实施例一中显微镜使用大倍率物镜时的分析装置的结构示意图。

图5是本发明实施例一的待分析MEMS芯片放置部位的放大图。

图6是本发明实施例二的待分析MEMS芯片放置部位的放大图。

图7是本发明实施例三的分析装置的结构示意图。

图8是本发明实施例三的待分析MEMS芯片放置部位的放大图。

图9是本发明实施例四中所述待分析MEMS芯片的结构示意图。

图10是本发明实施例五、实施例六中所述待分析MEMS芯片的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。

实施例一

TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置如图3、图4所示，由显微镜、反光盒4 和探针系统5组成；

显微镜自带光源，带有小倍率物镜31a、大倍率物镜31b和可活动的载物台32，用于 观察待分析MEMS芯片2′的MEMS结构21a及其运动；

反光盒4的作用是反射光线和承载待分析MEMS芯片2′，由顶部开口的外壳41、反 光镜、透明玻璃43和一对固定待分析MEMS芯片2′用的定位块44组成，反光镜包括两个 互成90°角的左反光镜42a和右反光镜42b，左反光镜42a和右反光镜42b都是镜面朝上地 安装于外壳41中，左反光镜42a和右反光镜42b与外壳41底面夹角都为45°，透明玻璃 43覆盖在外壳41顶部开口处，透明玻璃43与外壳41底面相平行，定位块44位于透明玻 璃43表面上，用于将待分析MEMS芯片2′限定在固定位置，待分析MEMS芯片2′可以放 置在透明玻璃43上面，由小倍率物镜31a或大倍率物镜31b的入射光A透过透明玻璃43 到达左反光镜42a，由左反光镜42a反射到右反光镜42b，再由右反光镜42b反射到待分析 MEMS芯片2′上；左反光镜42a和右反光镜42b互成90°角布置，而且与外壳41底面成 45°角，这样，垂直于透明玻璃43的入射光A经过反光盒4后垂直照射到放置于透明玻璃 43上的待分析MEMS芯片2′的MEMS结构21a上；待分析MEMS芯片2′反射回的反射光 B反射回反光盒4中，并依次经过右反光镜42b和左反光镜42a反射，最终回到小倍率物 镜31a或大倍率物镜31b中，就可以用目眼观察或用摄像头记录待分析MEM芯片2′的 MEMS结构21a的运动情况。

探针系统5包括探针51、探针臂53、探针座54和探针台55，探针51上连接导线52， 导线52与测试装置或电源连接，可以通过探针51向MEMS结构21a输入激励信号，探针 51通过探针臂53固定在探针座54上，探针座54放置在探针台55上，探针台55与显微 镜的载物台32是分离的，调节探针座54带动探针臂53和探针51可以在上下、左右、前 后各方向微调探针51相对于待分析MEMS芯片2′的压焊块29的位置。

反光盒4置于显微镜的载物台32上，反光盒外壳41的底面与载物台32平行，显微 镜的物镜位于反光盒4上方。

图3是显微镜使用小倍率物镜31a时的示意图，此时，视场31a′较大，将待分析MEMS 芯片2′放置在视场31a′边缘的定位块44中，此时调节显微镜的焦距，可以看到待分析MEMS 芯片2′和其上的压焊块29，也可以看到MEMS结构21a；在小倍率物镜31a下将探针51 扎到压焊块29上，然后将小倍率物镜31a切换到如图4所示的大倍率物镜31b，此时视场 31b′较小，只能看到放大的MEMS结构21a，看不到压焊块29和探针51；这样施加电压， 就观察MEMS结构21a的响应情况。

图5是待分析MEMS芯片2′放置部位的放大图，待分析MEMS芯片2′按压焊块29朝 上，密封层22和MEMS结构21a朝下的方式放置在透明玻璃43上，由于待分析MEMS 芯片2′残留有密封层22，所以待分析MEMS芯片2′直接放置在透明玻璃43上时，MEMS 结构21a与透明玻璃43间有一个间隙6，MEMS结构21a可自由活动；两个定位块44将 待分析MEMS芯片2′固定住，两个探针51分别扎在两个压焊块29上，并通过导线52向 待分析MEMS芯片2′施加激励电压，就可以观察MEMS结构21a的响应情况。

实施例二

本实施例的TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置与实施例一的TSV圆片级封 装MEMS芯片的失效分析装置不同之处仅在于：透明玻璃43上表面上放置待分析MEMS 芯片2″的位置处有凹腔43a，如图6所示。由于待分析MEMS芯片2″没有密封层22，不 能直接放在透明玻璃43上，需要在透明玻璃43上制作一个凹腔43a，这样，在放置待分 析MEMS芯片2″时，MEMS密封区21b与透明玻璃43接触，MEMS结构21a就位于凹腔 43a中，可以自由运动，解决了实例一中探针51扎到压焊块29上后MEMS芯片2″不能移 动的问题。

实施例三

TSV圆片级封装MEMS芯片的失效分析装置如图7所示，由显微镜、反光盒4和探 针系统5组成；

显微镜自带光源，带有物镜31和可活动的载物台32，用于观察待分析MEMS芯片2″ 的MEMS结构21a及其运动；

反光盒4的作用是反射光线和承载待分析MEMS芯片2″，由顶部开口的外壳41、反光 镜和透明玻璃43组成，反光镜包括两个互成90°角的左反光镜42a和右反光镜42b，左反 光镜42a和右反光镜42b都是镜面朝上地安装于外壳41中，左反光镜42a和右反光镜42b 与外壳41底面夹角都为45°，透明玻璃43覆盖在外壳41顶部开口处，透明玻璃43与外 壳41底面相平行，透明玻璃43上光线通过的部位有透光孔43b和43c，在正对大倍率物 镜31b的下方有透光孔43b，在放置待分析MEMS芯片2″的位置有透光孔43c，这样，入 射光A由透光孔43b进入反光盒1，经反光镜42a、42b反射后，通过透光孔43c照射到待 分析MEMS芯片2″上，待分析MEMS芯片2″的反射的反射光B通过透光孔43c回到反光 盒1，经反光镜42b、42a反射后，通过透光孔43b回到显微镜物镜中，整个过程光线不需 经过透明玻璃43，避免了玻璃的折射和表面反射。在制作透光孔43c时，在透明玻璃43 上形成台阶，以容纳待分析MEMS芯片2″，如图8所示，这样，在放置待分析MEMS芯 片2″时，MEMS密封区21b与透明玻璃43直接接触，将待分析MEMS芯片2″承载在透明 玻璃43的台阶上，MEMS结构21a位于透光孔43c中，不仅可以使MEMS结构21a自由 运动，还可以起到固定待分析MEMS芯片22″位置的作用。

探针系统5包括探针51、探针臂53和可移动的探针座54，探针51上连接导线52， 导线52与测试装置或电源连接，通过探针51向MEMS结构21a输入激励信号，探针51 通过探针臂53固定在探针座54上，探针座54放置在显微镜的载物台32上，这样，探针 座54和反光盒1都放置在载物台32上，只有柔软的导线52与外接测试仪器或电源相连， 待分析MEMS芯片22″位置不再受显微镜物镜视场大小的限制，在高倍率或低倍率物镜31 下扎好探针51后，待分析MEMS芯片22″可与探针51、探针臂53、探针座54、反光盒1 一起随载物台32前后、左右移动。

反光盒4置于显微镜的载物台32上，反光盒外壳41的底面与载物台32平行，显微 镜的物镜31位于反光盒4上方。

实施例四

TSV圆片级封装MEMS芯片的装置的失效分析方法，具体步骤为：

(1)通过氢氟酸(HF)酸液浸泡、机械力的方法除去TSV圆片级封装的MEMS芯 片的底板，露出密封层22和MEMS结构21a，得到如图9所示的待分析MEMS芯片2′；

(2)显微镜使用小倍率物镜31a，打开显微镜光源，调节显微镜焦距，将待分析MEMS 芯片2′按压焊块29朝上、密封层22和MEMS结构21a朝下的方式放置在物镜视场31a′ 边缘的定位块44之间，此时，MEMS结构21a与透明玻璃43之间有空隙，MEMS结构 21a可以自由运动，在显微镜的观察下将探针51扎入待分析MEMS芯片2′的压焊块29上， 如图3、图5所示；

(3)将小倍率物镜31a切换为大倍率物镜31b，如图4所示，调节显微镜焦距，使入 射光A照射在待分析MEMS芯片2′的MEMS结构21a上，同时MEMS结构21a反射的反 射光B返回物镜中，此时，从显微镜中仅可以看到待分析MEMS芯片2′的MEMS结构21a， 看不到压焊块29和探针51，通过探针51上的导线52向MEMS结构21a输入激励电压， 从显微镜中观察或记录MEMS结构的运动情况来分析MEMS器件的失效机理。

本实施例所述的待分析MEMS芯片2′从下至上依次包括密封层22、MEMS层21、盖 板26、绝缘层25和压焊块29，MEMS层21可根据功能分为MEMS结构21a和MEMS 密封区21b，MEMS层21与盖板26间通过Si-Si键合工艺结合在一起，它们之间是电导通 的；作为盖板一部分的TSV导电柱24也同时与MEMS结构21a键合在一起，它们之间也 是电导通的，MEMS结构21a的电信号可以通过TSV导电柱24从密封腔20中引出，TSV 导电柱24与盖板26的其他部分由TSV绝缘层23电隔离；盖板26上有绝缘层25，绝缘 层25上开有通孔28，压焊块29的材料是金属，该金属在形成压焊块29的同时也填满了 通孔28，压焊块29通过通孔28与TSV导电柱24相连，这样，MEMS结构21a的信号通 过TSV导电柱24和通孔28引出到压焊块29上。MEMS层21的密封区21b与密封层22 结合在一起，密封层22的材料是SiO₂，这种待分析MEMS芯片2′本身具有可供MEMS 结构21a运动的空间，因此不需要利用失效分析装置再为其提供运动空间。

实施例五

TSV圆片级封装MEMS芯片的装置的失效分析方法，具体步骤为：

(1)通过加热、机械力的方法除去TSV圆片级封装的MEMS芯片的底板和密封层， 露出MEMS结构21a，得到如图10所示的待分析MEMS芯片2″；

(2)显微镜使用小倍率物镜31a，打开显微镜光源，调节显微镜焦距，将待分析MEMS 芯片2″按压焊块29朝上、MEMS结构21a朝下的方式放置在透明玻璃43上，并用定位块 44固定其位置，此时，MEMS密封区21b承载在透明玻璃43表面上，与透明玻璃43接触， MEMS结构21a位于凹腔43a中，可以自由运动，在显微镜的观察下将探针51扎入待分 析MEMS芯片2″的压焊块29上，如图6所示；

(3)将小倍率物镜31a切换为大倍率物镜31b，调节显微镜焦距，使入射光A照射在 待分析MEMS芯片2″的MEMS结构21a上，同时MEMS结构21a反射的反射光B返回 物镜中，此时，从显微镜中仅可以看到待分析MEMS芯片2″的MEMS结构21a，看不到 压焊块29和探针51，通过探针51上的导线52向MEMS结构21a输入激励电压，从显微 镜中观察或记录MEMS结构的运动情况来分析MEMS器件的失效机理。

实施例六

TSV圆片级封装MEMS芯片的装置的失效分析方法，具体步骤为：

(1)通过加热、机械力的方法除去TSV圆片级封装的MEMS芯片的底板和密封层， 露出MEMS结构21a，得到如图10所示的待分析MEMS芯片2″；

(2)显微镜使用小倍率物镜31a，打开显微镜光源，调节显微镜焦距，将待分析MEMS 芯片2″按压焊块29朝上、MEMS结构21a朝下的方式放置在透明玻璃43的台阶43d上， 此时，MEMS密封区21b与透明玻璃43接触，MEMS结构21a位于透光孔43c中，可以 自由运动，在显微镜的观察下将探针51扎入待分析MEMS芯片2″的压焊块29上，如图8 所示；

(3)通过调节显微镜载物台32来微调待分析MEMS芯片2″相对于显微镜物镜的位 置；

(4)将小倍率物镜31a切换为大倍率物镜31b，调节显微镜焦距，使入射光A穿过透 光孔43b、透光孔43c照射在待分析MEMS芯片2″的MEMS结构21a上，同时MEMS结 构21a反射的反射光B穿过透光孔43c、透光孔43b返回物镜中，此时，从显微镜中仅可 以看到待分析MEMS芯片2″的MEMS结构21a，看不到压焊块29和探针51，如图7所 示，通过探针51上的导线52向MEMS结构21a输入激励电压，从显微镜中观察或记录 MEMS结构的运动情况来判断MEMS器件的失效机理。

实施例五和实施例六所述的待分析MEMS芯片2″从下至上依次包括MEMS层21、盖 板26、绝缘层25和压焊块29，MEMS层21可根据功能分为MEMS结构21a和MEMS 密封区21b，MEMS层21与盖板26间通过Si-Si键合工艺结合在一起，它们之间是电导通 的；作为盖板一部分的TSV导电柱24也同时与MEMS结构21a键合在一起，它们之间也 是电导通的，MEMS结构21a的电信号可以通过TSV导电柱24从密封腔20中引出，TSV 导电柱24与盖板26的其他部分由TSV绝缘层23电隔离；盖板26上有绝缘层25，绝缘 层25上开有通孔28，压焊块29的材料是金属，该金属在形成压焊块29的同时也填满了 通孔28，压焊块29通过通孔28与TSV导电柱24相连，这样，MEMS结构21a的信号通 过TSV导电柱24和通孔28引出到压焊块29上，这种待分析MEMS芯片2″本身没有可 供MEMS结构21a运动的空间，需要利用失效分析装置为其提供自由运动的空间。