远程氢等离子体表面处理制备超薄铜籽晶层的方法及其应用

摘要

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种远程氢等离子体表面处理制备超薄铜籽晶层的方法。本发明方法包括：将双（六氟乙酰丙酮）合铜吸附在扩散阻挡层上，清除多余双（六氟乙酰丙酮）合铜；将二乙基锌吸附在扩散阻挡层上，清除多余二乙基锌；重复上述步骤以达到超薄铜籽晶层的目标厚度；最后通入远程氢等离子体，进行表面处理。本发明采用ALD生长铜籽晶层，在较低的工艺温度下，可以有效地控制铜籽晶层的厚度，具有良好的沟槽填充性能；采用远程氢等离子体脉冲可与沉积薄膜中的杂质反应生成气体副产物并通过载气带离，从而提高沉积薄膜的质量，提高电镀铜与铜籽晶层的粘附特性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性。