在超薄籽晶层上均匀沉积铜膜技术

摘要

本研究通过计算机模拟铜膜生长过程，建立了实时电化学沉积铜膜生长模型，优化了应用于铜互连技术的电化学沉积腔体几何结构设计与主要铜制程工艺参数.包括电镀液电导率，电极结构，流体场，工艺时间等。通过一系列研究实验，实现了在350?超薄铜籽晶层上均匀沉积铜膜，其非均匀度小于1％。