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用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法

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摘要

本发明公开了一种用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法，包含如下步骤：步骤1：在TSV刻蚀完成后，在反应腔中，对硅通孔的侧壁进行氧化；步骤2：在反应腔中，对经氧化后的硅通孔的侧壁进行刻蚀，去除硅通孔的侧壁经氧化所形成的氧化层。本发明能够大大减低硅通孔侧壁的粗糙度。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-09

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/768 变更前: 变更后: 申请日:20121120

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-08-17

授权

授权
2014-07-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20121120

实质审查的生效
2014-06-04

公开

公开

1. 用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法 [P] . 中国专利： CN103839870B . 2016.08.17
2. 用于TSV刻蚀中改善硅通孔侧壁粗糙度的方法 [P] . 中国专利： CN103839870A . 2014-06-04
3. Through-silicon via (TSV) crack sensors for detecting TSV cracks in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs), and related methods and systems [P] . 美国专利： US9869713B2 . 2018-01-16

机译：用于检测三维（3D）集成电路（IC）（3DIC）中的TSV裂纹的硅通孔（TSV）裂纹传感器以及相关方法和系统
4. THROUGH-SILICON VIA (TSV) CRACK SENSORS FOR DETECTING TSV CRACKS IN THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs), AND RELATED METHODS AND SYSTEMS [P] . 世界知识产权组织专利： WO2016140767A1 . 2016-09-09

机译：通孔硅VIA（TSV）裂纹传感器，用于检测三维（3D）集成电路（IC）（3DIC）中的TSV裂纹以及相关方法和系统
5. THROUGH-SILICON VIA (TSV) CRACK SENSORS FOR DETECTING TSV CRACKS IN THREE-DIMENSIONAL (3D) INTEGRATED CIRCUITS (ICs) (3DICs), AND RELATED METHODS AND SYSTEMS [P] . 美国专利： US2016258996A1 . 2016-09-08

机译：通孔硅VIA（TSV）裂纹传感器，用于检测三维（3D）集成电路（IC）（3DIC）中的TSV裂纹以及相关方法和系统