ICP硅深槽刻蚀中的侧壁陡直度控制问题研究

摘要

介绍了以SF6/O2为刻蚀气体，利用ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术制作仿壁虎刚毛微米孔阵列硅模板过程中，刻蚀参数与图形侧壁陡直度的关系。实验结果表明基板的温度、SF6/O2气体流量的比例是影响图形侧壁陡直度关键因素。通过优化刻蚀参数，改善了轮廓的刻蚀状况，得到的结果为：170um高垂直度为89.7°。