一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法

摘要

一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，涉及硅微机械加工技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶；步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜；步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理；步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜；步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜，对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀；本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度，有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅微机械加工技术领域，特别是一种一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法。

背景技术

深硅刻蚀工艺是硅微机械加工中的关键工艺流程之一。侧壁陡直度是深硅刻蚀结构主要关注的重要指标。众所周知，刻蚀掩膜是影响深硅刻蚀结构形貌的首要因素。深硅刻蚀工艺常采用的刻蚀掩膜主要有两类，第一类是采用一定厚度的光刻胶图形作为掩膜，第二类是采用薄层光刻胶和介质层的复合图形作为掩膜。采用单层光刻胶掩膜时，要求光刻胶层具有足够的厚度，以防在硅片达到所需刻蚀深度之前，过薄的刻胶掩膜就被消耗完毕。例如，以硅和光刻胶40:1的刻蚀选择比计算，刻蚀120μm的深硅结构，光刻胶掩膜的厚度必须大于3μm。然而较厚的光刻胶掩膜图形存在结构形貌、线宽符合度差等问题，直接影响深硅刻蚀结构的质量。采用光刻胶和介质层的复合掩膜时，可以采用薄层光刻胶，但是介质层掩膜的制备和去除明显增加了工艺的复杂性。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度，有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。

本发明的上述目的是通过如下技术方案予以实现的：

一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，包括如下步骤：

步骤(一)、将待刻蚀晶圆水平放置在热氮气中；并在待刻蚀晶圆的上表面涂覆光刻胶；

步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；

步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜；

步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理；

步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜；

步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜，对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀。

在上述的一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，所述的步骤(一)中，热氮气的温度为85-105℃。

在上述的一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，所述的步骤(一)中，涂覆光刻胶的厚度为2-5μm。

在上述的一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，所述的步骤(二)中，热板固定设置在晶圆的下表面；热板对晶圆的底部进行烘烤。

在上述的一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，所述的步骤(二)中，烘烤温度为105-125℃；烘烤时间为5-10min。

在上述的一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，所述的步骤(四)中，氩等离子体反应功率为500～2000W；轰击时间为1-120s。

在上述的一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，所述步骤(五)中，氧等离子体反应功率为500-2000W，削除时间为3-30s。

本发明与现有技术相比具有如下优点：

(1)本发明在热氮气氛围中进行光刻胶涂覆，与传统室温下进行光刻胶涂覆相比，有利于提高光刻胶的致密性，使光刻胶掩膜具有了更强的抗刻蚀能力；

(2)本发明采用氩等离子体和氧等离子体依次对光刻胶掩膜进行轰击处理，与未进行上述处理的光刻胶掩膜相比，使光刻胶掩膜具有了更高的图形符合度；

(3)本发明通过采用上述光刻工艺方法，提升了光刻胶掩膜的抗刻蚀能力和图形符合度，利用该光刻胶掩膜可以实现高陡直度深硅刻蚀结构。

附图说明

图1为本发明光刻工艺方法步骤流程图；

图2为本发明图像成型后光刻胶掩膜的剖面示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的描述：

如图1所示为光刻工艺方法步骤流程图，由图可知，一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，包括如下步骤：

步骤(一)、清洗待刻蚀晶圆301并烘干，将待刻蚀晶圆301水平放置在热氮气中，热氮气的温度为85-105℃；然后利用匀胶机在待刻蚀晶圆301的上表面涂覆光刻胶301；涂覆光刻胶301的厚度为2-5μm

步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶301的晶圆301进行烘烤；热板固定设置在晶圆301的下表面；热板对晶圆301的底部进行烘烤；烘烤温度为105-125℃；烘烤时间为5-10min。

步骤(三)、待硅片自然冷却至室温后，在光刻胶301的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜301；

步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜301的外表面进行轰击处理；氩等离子体反应功率为500～2000W；轰击时间为1-120s。

步骤(五)、在光刻胶掩膜301的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜301进行边角削除；如图2所示为图像成型后光刻胶掩膜的剖面示意图，由图可知，得到最终图形成型的光刻胶掩膜301；氧等离子体反应功率为500-2000W，削除时间为3-30s。

步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜301，对待刻蚀晶圆301进行深硅刻蚀。

本发明说明书中未作详细描述的内容属本领域技术人员的公知技术。