铜衬底上的碳纳米管生长

摘要

一种在铜衬底上形成碳纳米管的方法可包含：提供铜衬底；在铜衬底上沉积钛金属薄膜粘合层；在钛金属薄膜上沉积氮化钛薄膜，氮化钛薄膜厚度在100纳米至200纳米之间；在氮化钛薄膜上沉积催化剂金属，所述催化剂金属在氮化钛薄膜的表面上处于离散颗粒形式；和在催化剂金属的离散颗粒上生长碳纳米管，所述碳纳米管生长至至少3微米的平均长度；其中所述氮化钛薄膜是扩散阻挡层，所述扩散阻挡层防止铜与催化剂金属的合金化。为了形成硅电池电极，所述方法可进一步包括在碳纳米管的整个长度上在所述碳纳米管上沉积硅。