MEMS芯片圆片级封装方法及其单片超小型MEMS芯片

摘要

本发明公开了一种MEMS芯片圆片级封装方法及其单片超小型MEMS芯片，该方法包括硅穿孔圆片形成、第一键合圆片形成、盖板圆片形成、第二键合圆片形成、MEMS圆片形成和单片超小型MEMS芯片形成几个步骤。本方法通过缩小上腔体的深度，从而将部分硅穿孔层直接用作垂直电极，工艺简单，本发明还增加了屏蔽金属层，从而减小环境干扰信号对MEMS芯片性能的影响。本发明制得的单片超小型MEMS芯片体积小，成品率高，芯片上的屏蔽金属层还能够减小环境干扰信号和封装应力对MEMS器件性能的影响。