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包含铜和铅-碲-氧化物的厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途

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摘要

本发明涉及厚膜银浆，所述厚膜银浆包含全部分散在有机介质中的(i)银，(ii)铜，和(iii)Pb-Te-O。本发明还涉及由所述浆料形成的电极和半导体装置，并且具体地涉及包括此类电极的太阳能电池。所述电极提供良好的电性能。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-01-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01B1/22 申请公布日:20130724 申请日:20130123

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-01-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01B1/22 申请日:20130123

实质审查的生效
2013-07-24

公开

公开

1. 包含铜和铅-碲-氧化物的厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途 [P] . 中国专利： CN103219063A . 2013-07-24
2. 包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途 [P] . 中国专利： CN107424662B . 2019.11.08
3. Thick film silver paste containing copper and lead—tellurium—oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices [P] . 美国专利： US8956557B2 . 2015-02-17

机译：包含铜和铅-碲-氧化物的厚膜银浆及其在半导体器件制造中的用途
4. The thick film silver paste which contains the copper and lead tellurium oxide and the use in producing the semiconductor device [P] . 日本专利： JP5576517B2 . 2014-08-20

机译：包含铜和碲化铅的厚膜银浆及其在制造半导体器件中的用途
5. THICK FILM SILVER PASTE CONTAINING COPPER AND LEAD-TELLURIUM-OXIDE AND ITS USE IN THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES [P] . 美国专利： US2013187101A1 . 2013-07-25

机译：包含铜和氧化钛铅的厚膜银浆及其在半导体设备制造中的用途