首页> 中国专利> 包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途

包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途

页面导航

摘要

本发明提供了用于印刷太阳能电池装置的前侧面的厚膜糊料，所述太阳能电池装置具有一个或多个绝缘层。所述厚膜糊料包含导电金属以及分散于有机介质中的铅‑碲‑氧化物。

公开/公告号CN107424662B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-08

原文格式PDF
申请/专利权人 E.I.内穆尔杜邦公司;
展开▼

申请/专利号CN201710681515.6
发明设计人 A·F·卡罗尔;K·W·杭;B·J·劳克林;K·R·米克斯卡;C·托拉迪;P·D·韦尔努伊;
展开▼

申请日2011-05-04
分类号H01B1/22(20060101);H01L31/0224(20060101);B22F1/00(20060101);B22F7/04(20060101);B22F7/08(20060101);C03C8/10(20060101);C03C8/12(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人江磊
地址美国特拉华州
入库时间 2022-08-23 10:42:56

查看全部

1. 包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途 [P] . 中国专利： CN109014180B . 2021.08.24
2. 包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途 [P] . 中国专利： CN103038186B . 2018.11.09
3. THICK-FILM PASTES CONTAINING LEAD- AND TELLURIUM-OXIDES, AND THEIR USE IN THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES [P] . 美国专利： US2018226522A1 . 2018-08-09

机译：包含铅和碲氧化物的厚膜糊料及其在制造半导体器件中的用途
4. THICK-FILM PASTES CONTAINING LEAD- AND TELLURIUM-OXIDES, AND THEIR USE IN THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3070062A1 . 2016-09-21

机译：包含铅和碲氧化物的厚膜糊料及其在制造半导体器件中的用途
5. THICK-FILM PASTES CONTAINING LEAD- AND TELLURIUM-OXIDES, AND THEIR USE IN THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2566824B1 . 2016-03-02

机译：包含铅和碲氧化物的厚膜糊料及其在制造半导体器件中的用途