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碲化镓二维材料的制备方法及二维结构碲化镓柔性透明光探测器的制备方法

摘要

碲化镓二维材料的制备方法及二维结构碲化镓柔性透明光探测器的制备方法,它涉及一种材料的制备方法及采用此材料制备光探测器的制备方法。本发明为了解决现有硅基底无法满足便携、耐磨损、可伸缩以及较高的透明度的技术问题。材料的制备:将镓与碲混合、保温,却至室温,即得。光探测器的制备:制备二维结构的碲化镓半导体,以铜制掩膜为模板利用真空镀膜机在二维结构的碲化镓半导体的表面沉积电极,得到器件,将器件退火处理即得光探测器。本发明因为采用柔性、透明的聚对苯二甲酸乙二酯为基底,所以制备的可以任意的弯曲、且透光性好,单个器件大小在几百个微米左右。本发明属于光探测器材料及制备领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103236469A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201310139850.5

  • 申请日2013-04-22

  • 分类号H01L31/18;

  • 代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人王艳萍

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2024-02-19 19:24:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-25

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20130807 申请日:20130422

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-09-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20130422

    实质审查的生效

  • 2013-08-07

    公开

    公开

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