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Tellurium binds bismuth- telluride and gallium-arsenide thermoelectric material

机译:碲结合碲化铋和砷化镓热电材料

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摘要

Bismuth telluride (Bi_2Te_3) and gallium arsenide (GaAs) make quite a pair, combining to form a highly efficient electronics-cooling thermoelectric material. Although scientists have been using this material pair for years, how the two materials stick together has remained a mystery. Now, with the aid of high-powered, highly sensitive imaging systems, researchers at North Carolina State University have found a definitive answer. Most inorganic compounds are held together with chemical bonds, says James LeBeau, a professor of materials science and engineering at North Carolina State University. But for some time, scientists have known that Bi_2Te_3 and GaAs do not follow this pattern. Instead, the two materials combine through van der Waals interactions that are considerably weaker than a chemical bond. Just how the bond is formed and how it manages to hold the system together was the real mystery, says LeBeau.
机译:碲化铋(Bi_2Te_3)和砷化镓(GaAs)组成一对,结合形成一种高效的电子冷却热电材料。尽管科学家多年来一直在使用这种材料对,但两种材料如何结合在一起仍是一个谜。现在,借助高功率,高灵敏度的成像系统,北卡罗莱纳州立大学的研究人员找到了明确的答案。北卡罗莱纳州立大学材料科学与工程学教授詹姆斯·勒博(James LeBeau)说,大多数无机化合物都是通过化学键结合在一起的。但是一段时间以来,科学家们知道Bi_2Te_3和GaAs并不遵循这种模式。相反,两种材料通过比化学键弱得多的范德华相互作用来结合。 LeBeau说,真正的谜团是如何形成的以及如何将系统结合在一起才是真正的谜。

著录项

  • 来源
    《MRS bulletin》 |2013年第5期|360-360|共1页
  • 作者

    Meg Marquardt;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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