碲化镓二维材料及其异质结的制备与光电性能的研究

目录

第 1章 绪论

1.1课题的背景及研究的意义

1.2 二维Ⅲ-Ⅵ族材料晶体结构和电子结构

1.3 二维Ⅲ-Ⅵ族材料的应用

1.3.1 场效应晶体管

1.3.2 光电探测器

1.3.3 范德华瓦尔兹异质结

1.4 二维Ⅲ-Ⅵ族材料的制备方法

1.4.1 机械剥离法

1.4.2 液相剥离法

1.4.3 物理气相沉积法

1.5本课题主要研究内容

第 2章 材料制备以及表征方法

2.1.1试验原料

2.1.2试验设备与测试仪器

2.2.1 GaTe二维材料的制备

2.2.2 MoSe2二维材料的制备

2.2.3 GaTe/MoSe2异质结的制备

2.2.4器件的制备

2.3.1 形貌表征方法

2.3.2 结构表征方法

2.3.3 光电性能测试方法

第3章 碲化镓二维材料的制备及其光电性能研究

3.1引言

3.2.1生长衬底的选择

3.2.2加热温度对GaTe生长的影响

3.2.3前驱体间距对GaTe生长的影响

3.2.4保温时间对GaTe生长的影响

3.3.1 GaTe二维材料的表面形貌研究

3.3.2 GaTe二维材料的结构研究

3.3.3 GaTe二维材料的光电性能研究

3.4本章小结

第4章 单层硒化钼的制备及其光电性能研究

4.1 引言

4.2 不同参数对制备单层MoSe2的影响

4.2.1 气流量对MoSe2生长的影响

4.2.2 H2比例对MoSe2生长的影响

4.3.1 单层MoSe2的表面形貌研究

4.3.2 单层MoSe2的结构研究

4.3.3 单层MoSe2的光电性能研究

4.4 本章小结

第5章 GaTe/MoSe2异质结的构筑及其光电性能研究

5.1引言

5.2 GaTe/MoSe2异质结的制备研究

5.2.1 两步CVD法合成GaTe/MoSe2异质结

5.2.2 PMMA辅助转移法构筑GaTe/MoSe2异质结

5.3 GaTe/MoSe2异质结的拉曼光谱研究

5.4 GaTe/MoSe2异质结的光学性能研究

5.5 本章小结

结论

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果

声明

致谢