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METHOD FOR PRODUCING GALLIUM TRICHLORIDE GAS AND METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

机译：碲化镓气体的制备方法和氮化物半导体晶体的制备方法

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摘要

According to the invention, there is provided a method for producing a gallium trichloride gas, the method including: a first step of reacting a metallic gallium and a chlorine gas to produce a gallium monochloride gas; and a second step of reacting the produced gallium monochloride gas and a chlorine gas to produce a gallium trichloride gas.

机译：根据本发明，提供一种生产三氯化镓气体的方法，该方法包括：使金属镓和氯气反应以生产一氯化镓气体的第一步;第二步骤是使所产生的一氯化镓气体与氯气反应以产生三氯化镓气体。

著录项

公开/公告号PL2570523T3

专利类型
公开/公告日2017-09-29

原文格式PDF
申请/专利权人 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY;
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申请/专利号PL11780659T
发明设计人 KOUKITU AKINORI;KUMAGAI YOSHINAO;
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申请日2011-05-11
分类号C30B29/38;C01G15/00;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/448;C30B25/00;C30B25/14;C30B29/40;C30B35/00;H01L21/02;H01L21/205;
国家 PL
入库时间 2022-08-21 13:37:00

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