法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-30
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/10 申请公布日:20130508 申请日:20120917
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-12-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/10 申请日:20120917
实质审查的生效
2013-05-08
公开
公开
机译: 半导体发光器件的制造方法,半导体器件的制造方法,器件的制造方法,氮化物III-V族化合物半导体层的生长方法,半导体层的生长方法以及层的生长方法
机译: 包括iii-v族化合物半导体层的半导体器件及其制造方法
机译: 形成III-V族材料层的方法,包括III-V族材料层的半导体器件以及制造该半导体层的方法