一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法。本发明通过制备立方氮化硼(c-BN)薄膜层作为激光器腔面的钝化膜，有效的减小了激光器腔面灾变光学损伤，提高了激光器件可靠性与稳定性。本发明通过对半导体激光器bar条的前后腔面的离子预清洗后，采用磁控溅射方法，在bar条的前后腔面沉积立方氮化硼(c-BN)层，然后再在前后腔面分别镀增透膜以及高反膜。该发明方案可应用于各类半导体激光器。