低缺陷密度、理想氧沉淀的硅

摘要

一种单晶硅晶片，在基本上任何电子器件制造工艺的热处理周期中将形成理想的非均匀深度分布的氧沉淀。该晶片的特征在于，具有非均匀分布的晶格空位，本体层中空位的浓度大于表面层中空位的浓度，空位的浓度分布为空位的峰值密度处于或靠近中心平面，该浓度一般在晶片正面方向从峰值密度下降。在一个实施例中，晶片的特征还在于，具有第一轴对称区，其中空位为主要本征点缺陷，且基本上没有聚集的本征点缺陷，其中第一轴对称区包括中心轴或其宽度至少为约15mm。在另一实施例中，晶片的特征还在于，具有基本上没有聚集本征点缺陷的轴对称区，该轴对称区从晶片的周边径向向内延伸，从周边径向向中心轴测量其宽度至少为晶片半径长度的约40％。